Western Digital旗下SanDisk近來針對智慧型手機與行動運算裝置再度推出了iNAND 8521與iNAND 7550兩款嵌入式快閃記憶體。兩款記憶體顆粒皆是採用了Western Digital 64-Layer 3D NAND技術,單顆記憶體容量規格最高皆可達到256GB。而其中的iNAND 8521嵌入式記憶體除了是採用UFS2.1標準設計之外,還導入了第五代SmartSLC技術來加快記憶體顆粒的存取效能表現,循序讀寫效能分別可達到800MB/s與500MB/s,隨機讀寫IOPS表現則可達到50K與45K IOPS。


至於另外一款iNAND 7550嵌入式快閃記憶體則是採用了eMMC 5.1標準以及第四代SmartSLC架構設計,循序讀寫速度最快可達到讀取300MB/s、寫入260MB/s,隨機讀寫IOPS表現則可達到20K與15K IOPS。


Western Digital iNAND 8521與iNAND 7550兩款嵌入式快閃記憶體目前已經進入OEM試樣階段,預計很快就會出現再實際裝置展品上。