W110ER的CPU供電部分所使用的電能非常之純淨，已經無限接近于Intel的定義規範，達到了30mVp-p左右，而其CPU的1.8V供電更是破天荒的達到了低負載時最小13.7mVp-p的水準！這是個非常驚人的數字，從Notebook研發歷史以來，不知有多少廠商被這一難關卡死.要知道，雖然CPU在100mVp-p以內的電能下就可工作，但幾乎沒哪家廠商是在朝著最極限的穩定性去努力的，就連NVIDIA的公版顯卡，其GPU NVVDD供電都只能做到77mVp-p左右.在這個任何研發都Costdown的年代，這小本能夠為客戶著想，堅決不Costdown，不犧牲穩定性，實在難能可貴！
注釋：這個測試結果只是最大可能的接近於W110ER的真實情況，實際上W110ER的實際使用穩定性還要更高，因在測試中，其Voltage和Ground都是採用從PCBA上再跳線進行量測，因為線材不可能達到PCB上所覆銅的材質規範，算上線材上的損耗和電流回路距離的增加，量測出來的結果都是高於實際使用值的，W110ER的使用環境已經達到最極限最苛刻的標準了
從測試結果來看，W110ER的供電電流已經額外超出了標準，VCORE OCP保護點已經達到了Intel在給CPU做載入測試時的最大吃載電流標準，而1.8V（PLL）已經超過了Intel規範的近10倍！這也意味著W110ER不光供電很穩定，而且還能超頻.眾所周知，超頻除了微幅度的加壓以外，主要就是看供電流給不給力，W110ER性能已經如此強悍，再超頻一下，完全可以躋身高端筆電領域
W110ER的Power設計，全部達到了規範，其VVD5甚至超出了90%以上.要知道，效率越高，其電能損耗浪費的就越少，您的待機及多功能應用的續航時間就被大大增加.在開關電源中，頻率越高時其轉換效率就越差，有的機器甚至連80%都沒有.有的朋友也許會反問，那這些所損失的電能都哪去了，其實除去IC的微量吃載，再加上電阻上導通後的損耗，電容充放時的損耗，MOSFET轉換時的損耗，電感為防止永久飽泄放電能後的損耗（電感永久飽和即代表這顆電感永久性的損壞，HI SIZE MOSFET開關一下，即對電感進行一次充電，所以LOW SIZE MOSFET除了正常開啟外還會每幾個迴圈再開關一次，泄放電感電能到Ground）之總和，能做到85%以上!
