個人積分：96分
文章編號：3354229
個人積分：85分
文章編號：3354497
每個感光元件就像一個電容，受光就會儲存電荷。依照電荷的數量就是該點的亮度了
比如說某個電容最高存 100 個電子，所以白色就是存 100 個電子的狀況，黑色就是 0 個。
電子系統都會有雜訊，就好像音響開到最大聲一樣，會聽到沙沙的聲音，那通常就是雜訊。
因為會有很多因素影響到電子系統的動作，比如說熱、電磁波等等，都可能讓感光元件多儲存額外的電子
上面說的只是雜訊的產生，最後照片的雜訊結果要從三點來看，
第一是結構、環境等種種因素，使得感光元件會多一些或少一些電荷，這就是雜訊的來源，也是上面所講的
第二是因為結構，使感光元件最大能儲存多少電荷，這能讓雜訊對結果的影響減少
第三是後端晶片處理雜訊的能力，像是對不同 ISO 設定所做的訊號放大，以及一些去除雜訊的技巧
假設因為結構，環境，會產生最多 5 個電子的雜訊，那對於只能裝到 100 個電子的感光元件影響有 5%
但如果此感光元件能裝到 500 個電子，那影響就變成 1% 了，所以說一個感光元件的容量越大，最終雜訊的影響就越小
從 ISO 100, 200 等感光速度也能理解為甚麼 ISO 值越高雜訊就越多
假設某個感光元件能裝到 100 個電子 ，雜訊最高 5 個電子
在 ISO 100 的情況下，確實白色就是裝到 100 的狀況，雜訊影響是 5%
在 ISO 200 時，因為只感光一半的時間，所以白色應該是裝到 50 的狀況，之後由處理晶片放大成 100，結果雜訊跟著放大，變成 10%的影響，雜訊倍增
當然 ISO 越高，也就越恐怖，同樣量的雜訊不斷被放大再放大
通常感光元件密度小的話，可以減少鄰近感光元件的相互影響，增加散熱表面積，以及增加感光元件儲存電荷的容量（因為表面積變大了），也因此同樣產生五個電子的雜訊，影響較小
個人積分：15分
文章編號：3360632
hrzhou wrote:
想請教站上大大,有關...(恕刪)
因為CMOS的尺寸 影響了訊噪比(Signal/Noise ratio)
CMOS尺寸越大 訊噪比越大 則相同訊號數量時(分子相同) 雜訊(分母)所佔比例越低
全片幅的CMOS的訊噪比 比APS-C的CMOS的訊噪比 來的高
所以在相同的processor下 5D的雜訊比30D來的少
1D3的CMOS雖然只有APS-H size 比FF來的小
但1D3和5D的processor不同
所以在明度雜訊與偽色雜訊的抑制上
和5D之間互有勝負
但差異不算很大
有關CMOS size和Signal/Noise raito之間的關係, 可參閱以下原廠英日文網站:
http://web.canon.jp/imaging/cmos/technology-j/size.html
http://web.canon.jp/imaging/cmos/technology-e/size.html
個人積分：96分
文章編號：3361348
個人積分：15分
文章編號：3361386
個人積分：0分
文章編號：3361522
個人積分：4分
文章編號：3367585
個人積分：319分
文章編號：3368042
個人積分：558分
文章編號：3368226
