howard1204 wrote:
我很努力地用高iso...(恕刪)
您找的目標還不夠亮的關係.
黑點成因原理大約看圖說故事的話,信號檢測是讀出像素與參考基準的電壓差值,而參考基準是基板
我們假設為像素能容納10單位的電子,基板乾淨的是0單位電子.
當像素受到光照收集了5單位的電子,對照0單位的基板可以讀出信號是5-0=5單位的電子
當光照量大幅湧入像素中,導致像素無法容納暴增的電子,電子會溢出到兩旁的基板上.
例如像素湧入了20單位的電子,像素只能容納10單位,10單位會溢出到旁邊的基板上,讀出的信號變成10-10=0
照理說20單位電子應該更亮才是,但卻被判讀成0單位的電子反而變全暗了.
若用一個絕對不會被溢出電子影響的基板位置當作共有的參考基準應該就能解決,但若考慮到其實每個像素特性其實不見得一致,有可能發生有的像素絕對能容納的電子有的稍高有的稍低,有的較敏感有的較不敏感,比對一個共有的基準會怎麼樣嘛..
這用韌體不易解決,屬於CMOS上電路層級的問題.
但跟高光溢出一樣,大多場合"不易發生".
