富士松下宣布合作開發新型有機傳感器技術

兩位高手看的我霧煞煞
不過乳模已經有透露
這技術最快也要2014年底或2015年初才有機會看到
所以到時候第一台用上的機身也許會是....G8?
衣不合身,兩眼發昏,八成招搖撞騙到處混

Wang93SC wrote:
不知道有明確的說明會...(恕刪)


富士フイルム、パナソニックは、6月11日に京都で開催される「2013 Symposium on VLSI Technology (VLSI2013)」、ならびに6月15日に米国ユタ州で開催される「2013 International Image Sensor Workshop」にて本研究成果を発表します。

內容可能跟兩間公司放在官網的新聞稿相差無幾......吧.
看來,GH5都還不見得有機會用上>"<
sssmitake wrote:
富士フイルム、パナソ...(恕刪)


hm...
VLSI...
頗具 "學術" 價值...
不知是否屬於highlight paper之一...
我看我還是耐心等待好了...
想請教下各位大大,這種有機CMOS的架構是屬於FSI還是BSI呢?跟MOS型sensor又有什麼區別?
看到有人的部落格認定這是BSI,而且無法大型化。。。

看了這半年P社的經營體制改革的資訊,感覺半導體事業未來的大趨勢是走無工廠化,但圖像感測器這東西,如果只有設計,沒有製程相配合,也很難商品化吧?

不懂,純討論~

Wang93SC wrote:
hm...VLSI....(恕刪)

為什麼有機薄膜可以達到百分之百開口率?
矽晶的光電子亂射 所以要電路設計作邊界吧?
不然左邊像素的電子被右邊像素接收到?
每個像素的隔間是不是就會佔掉開口率?
ACON99 wrote:
為什麼有機薄膜可以達...(恕刪)


的確在Si diode的CIS元件中需要阻斷橫向載子傳遞.
然有機膜的電子/電洞傳導特性並不相同,
例如最常運用的pi鍵共軛傳導,
輔以外部電位差將載子透過下方電極傳導到下方的CMOS電路去處理.
簡單來說不是所有位置的排列方向性都是一樣,
(取決不同有機單體種類以及合成方式, 結果大不同, 學術部份不在這裡討論)
所以電子電洞在其中不是任何方向都等電位的自由移動狀態,

但您提到一個重點,
就是有機膜下電極pix & pix之間是不連續的,
所以嚴格來說的確精算過後的fill factor會因為這些不連續面積不等於100%.
然而回來比較Si diode的case,
Isolation的面積一樣存在,
所以商人在宣傳技術上是可以不考慮這些因素而僅比較不同diode材質下pixel array暴露在光源下的總面積,
此時宣稱有機感光元件fill factor趨近100%就沒有太多爭議.

Wang93SC wrote:
的確在Si diod...(恕刪)

哇~用pi鍵...聽起來很威~
(感覺我的固態物理要重修了...)
那有沒有辦法在有機薄膜裡
混三種高分子
每一種對應一種RGB色光
然後電壓不同會跑去不同的CMOS電路被接收
這樣不是一個像素就有三原色?
animatrix wrote:
看來,GH5都還不見...(恕刪)

沒關係
買相機可以等,不急
先買鏡頭先
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