Davidr wrote:魯獅大最棒的還是他對CMOS的見解話說是先過光罩之後才來看要切多大的CMOS是吧XD...(恕刪) 魯獅大這句話,嚴格來說,並不算錯,只能說是省略了很多半導體製程的步驟罷了!半導體前段,晶圓若在Litho Layer都不用光罩,也就沒Pattern,當然也就沒Scribe Line.一片沒Pattern的Wafer,只能報廢或Down Grade去回收,當然沒有機會外送到封測廠,給人切大切小.以上是個人粗淺的認知,若有謬誤請指正,謝謝!
九份老街 wrote:魯獅大這句話,嚴格來...(恕刪) 呵呵~~最後怎麼變成半導體製程的討論了....XD沒光罩幾本上不用說到後段要怎麼切割,應該進完曝光機出來到量測機就叫了....哈哈離題了~話說最貴的黃光曝光機裡面可是用ZEISS的鏡頭呢~canon跟nikon在這領域上還無法領先就是.
Mobile01 Care wrote:不知RX1R的CMO...(恕刪) sorry 我跳太快我是指D5100, K5印象中用的sensor與NEX5n是相同的但是DXOMARK測試起來卻差異很大調教看來真的有很大的差別
九份老街 wrote:魯獅大這句話,嚴格來說,並不算錯,只能說是省略了很多半導體製程的步驟罷了!半導體前段,晶圓若在Litho Layer都不用光罩,也就沒Pattern,當然也就沒Scribe Line.一片沒Pattern的Wafer,只能報廢或Down Grade去回收,當然沒有機會外送到封測廠,給人切大切小.以上是個人粗淺的認知,若有謬誤請指正,謝謝! 他原來的意思是