1. CaF₂ 光學材料 : 可製造大型鏡片困難 ,雙折射（Birefringence）問題,成本極高
2.空氣吸收 :157 nm 被氧氣吸收非常嚴重 ,整個曝光路徑必須充氮氣或真空
3. 光罩（Mask）: Pellicle 難以製作 石英材料不再適用, 缺陷控制困難 :
4.光阻（Photoresist）: 吸收率過高 . 線邊粗糙（LER）增加 , 壽命不足
因此，即使 Canon 與 Nikon 都投入多年，仍無法達到量產需求。
ASML 採用不同思路：不是縮短波長，而是維持 193 nm ArF 雷射，在鏡頭與晶圓之間加入超純水（折射率約 1.44），提高數值孔徑（NA）。增加 NA 就能達到接近157 nm曝光的解析能力，而不用面對157 nm所有材料問題。從產業角度看，Canon 與 Nikon 最初押注的是「更短波長（157 nm）」，而 ASML 押注的是「更高數值孔徑（193 nm 浸潤）」。2003～2004 年左右，主要晶圓廠（如 Intel、TSMC、Samsung）逐漸將研發重心轉向 193 nm 浸潤式，157 nm 路線因此終止，ASML 則藉由浸潤式 DUV 建立了後續在先進光刻設備市場的領先地位。
為什麼沒有 126、100、70 nm？原因不是「不能做」，而是沒有合適的光源與光學材料。
193 nm 以下開始出現材料斷層
目前 DUV 使用的是：
光源：ArF Excimer Laser
鏡片：石英（SiO₂）
折射鏡頭
到了更短波長：石英開始吸收光 CaF₂ 也逐漸不能用 幾乎找不到透明材料
也就是說：沒有鏡片可以做。 因此 126、100、85 nm 這些波長沒有成熟的折射光學系統。
13.5 nm 下：
所有玻璃都不透明
CaF₂ 不透明
石英不透明
空氣也不透明
因此 EUV 改採：
真空
全反射鏡（Mo/Si 多層膜）
Plasma 光源
雷射打到錫液滴後，會放出很多波長：10 nm 11 nm 12 nm 13 nm 13.5 nm 14 nm 15 nm
...其中13.5 nm 附近最強。
另一方面：Mo/Si 多層反射鏡在約 13.5 nm 的反射率最高，可達約 70%。
如果改成：11 nm 10 nm 8 nm 鏡子的反射率會大幅下降。
因此：Plasma 最亮的波長 + Mirror 最容易反射的波長 剛好都在 13.5 nm。
