ccs0091 wrote:
謝謝你提供的資訊，...(恕刪)
謝謝你的分析與分享，說的很中肯很棒!
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wilson667788 wrote:
大陸做半導體人才是...(恕刪)
大陸三大集團半導體，先開始第一槍
紫光NAND廠上樑 明年投產
9/29 00:36
經濟日報 記者林則宏／綜合報導
大陸紫光集團領銜投資240億美元的大陸首座3D NAND Flash廠「國家存儲器基地」一期一號廠房昨（28）日高調舉行儀式，宣布在動土僅九個多月時間即提前封頂（上樑），預計2018年就可投入使用。
新華社與經濟參考網報導，由紫光集團與大陸「國家集成電路產業投資基金」、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房昨日實現提前封頂。
國家存儲器基地位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，占地1,968畝，於2016年12月30日正式開工興建，將建設三座全球單體面積最大的3D NAND Flash生產廠房。
此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建築面積近16萬坪，預計於2018年投入使用。項目（一期）達產後，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。
周四這場提前封頂儀式，包括紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國、湖北省副省長周先旺、武漢市長萬湧等人均親自出席。
趙偉國指出，國家存儲器基地項目是中國集成電路存儲晶片產業規模化發展「零」的突破，相當於中國科技領域的「遼寧號」航空母艦出海試航。
趙偉國表示，從現在開始到未來的五至十年，正是中國積體電路產業發展的最佳窗口期。「既然選擇了存儲晶片作為切入點和突破口，紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇，直面挑戰，知難而上，通過超常規的投入縮短發展周期，迅速登上全球存儲行業的競爭舞台。」
新華社指出，存儲器（記憶體）是信息系統的基礎核心晶片，最能代表積體電路產業規模經濟效益和先進製造工藝，同時也是中國進口金額最大的積體電路產品。「國家存儲器項目落戶武漢，填補了此前國內集成電路產業的一塊空白。」經濟參考網則稱，該項目「承載了國家信息安全、產業安全的戰略使命」
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Ste100 wrote:
想扯皮請移步(新聞...(恕刪)
其實他說的也沒錯啦～～
而且對於敵國，稍微詛咒一點也是人之常情～
搶人偷技術沒用 中國試產DRAM全敗
中國砸大錢補助逾千億人民幣強力扶植半導體業，不僅重金挖角台灣人才，甚至屢傳被高
薪挖角者涉嫌偷竊技術；業界傳出，中國宣告要進軍ＤＲＡＭ（動態隨機存取記憶體）的
合肥睿力、福建晉華等廠，近期試產皆告慘敗，砸錢挖角卻因技術不足，用偷的根本沒用
，中國發展ＤＲＡＭ產業大夢恐寸步難行。
中國近年挖角我ＤＲＡＭ業界人才一波接一波。華亞科前董事長高啟全、前總經理梅國勳
紛跳槽紫光集團，華亞科主管與工程師掀起一波出走潮；除紫光外，從華亞科退休的資深
副總經理劉大維等一票人跳槽合肥長鑫（睿力集成電路），預計明年切入十九奈米製程生
產ＤＲＡＭ；曾任力晶資深副總經理、瑞晶總經理的陳正坤，加入聯電並出任策略合作的
福建晉華ＤＲＡＭ廠總經理，聯電接受晉華委託開發ＤＲＡＭ相關製程技術，預計生產三
十二奈米製程的ＤＲＡＭ。
但中國半導體砸錢挖人還是不管用，紫光先後對ＤＲＡＭ大廠美光、ＳＫ海力士收購邀約
被拒，發展ＤＲＡＭ暫告胎死腹中；紫光已併武漢新芯組成長江存儲，發展三Ｄ儲存型快
閃記憶體（NAND Flash）廠，聯電前執行長孫世偉、聯電新加坡廠高階主管林振堂也被網
羅，但能否建立自主技術與量產成功，也是未知數。
業界最近傳出，中國宣告要進軍ＤＲＡＭ的合肥睿力、委由聯電開發ＤＲＡＭ相關製程技
術的福建晉華等廠，近期試產ＤＲＡＭ皆告失敗，甚至良率出現零的慘狀。
業界分析，ＤＲＡＭ專利技術門檻高，韓國三星、ＳＫ海力士與美國美光三大ＤＲＡＭ大
廠技術防線守得緊、全力圍堵，量產更是打工程人力的團體戰，專利與工程人力兩大條件
，中國都欠缺，光靠砸錢挖角，技術卻無著落，用帶槍投靠的「偷」技術方式根本沒用，
中國要發展ＤＲＡＭ產業大夢恐難實現。
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supermonkey16 wrote:
把對岸當敵國前提是...(恕刪)
大家都好認真，我上一篇就只是幫藍氣球緩頰一下罷了。
他說的的確沒錯，現在中國只會偷技術，記憶體做不好，
但是未來以他們龐大的資源當然會超過台灣。
我說因為對方是敵國，
所以藍氣球稍微詛咒對方不可能發展技術，是人之常情。
另外，若要談真正的歷史，這兩世紀以來，
跟中國敵對最久的，的確是台灣人沒錯，
1937~1945，當時台灣為日本國民，是對中國宣戰的。
1947~2017，47那年台灣被中國人屠殺統治後到現在，
一直跟中國政權和中國人是敵對狀態。
唉呀，說太多可能會被糾正去別的版，
不要太在意，大家有賺錢就好，
我要是哪天賺夠了就把女兒嫁到國外去，
就不用在這整天被對岸威脅要併吞。
