好幾個月測試跟好幾個月調試差很多以不專業的來說,這是出貨文1億次,當三爽是白痴都沒在研發了?還是當DRAM廠都搞自閉了?真正來說1億次不用幾天就好了,在不然就是這東西有重大缺陷Mos每次開關不用到us等級,ns就夠了假設1us緩慢的完成,這樣測試1億次只要100s
他用的技術是利用小區域高溫,來修復因為讀寫時造成的物理損壞,理論跟技術上可行,要量產跟商品化.......問上帝吧!!!http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=490&t=3082206&m=f&last=40242762alex1973 wrote:自我修復 ? 是說在...(恕刪)
職場靠嘴砲 wrote:短暫將區域內的溫度拉到攝氏800度,把受損區還原到正常狀態。...(恕刪) 請問 為什麼加熱可以修復?? 我不是理工的 不懂另外 這個加熱的裝置會使體積變大嗎?還有瞬間加熱800度 這會製造出 輻射還是電磁波嗎? 感覺有點危險
職場靠嘴砲 wrote:研究員表示,旺宏的新...(恕刪) 旺宏是透過內部自行研發,發現透過短暫快速加溫至攝氏800度,可免除現階段快閃記憶體經過約1萬次抹寫循環後,可能面臨資料流失問題。透過旺宏相關技術,可讓快閃記憶體抹寫循環擴大至1億次,比現行產品壽命延長1萬倍。----------------如果資料保存期限,不是抹寫,能延長100倍就可以將資料保存一輩子了,更吸引人