18年代工ARM晶片
據IEEE Spectrum報導，2017年英代爾將推出的新處理器採用該公司最新10納米晶片制程技術。該公司也指出，屆時采該制程生產的電晶體成本將比以往還低，代表摩爾定律精神不僅將延續，也駁斥電晶體製造成本已來到最低的說法。
展望來年，英代爾並計畫在電晶體設計上繼續精進，而且首度讓自家制程技術最大化以便符合其他公司需求，可利用英代爾設備生產采安謀(ARM)架構的晶片。 英代爾院士Mark Bohr指出，雖然目前晶片制程世代或節點名稱說法與晶片上的功能多有脫勾，但該公司10nm世代所能達到的密度，將比目前14nm晶片甚至其他業者的10納米產品還要高。
該公司日前也公佈多項新世代制程資料，包括負責開關的電晶體閘極長度以及閘極間距(gate pitch)都會更小，最小的閘極間距將由70nm變成54nm，執行標準邏輯功能的邏輯單元尺寸也會比目前採用14納米技術的小46%。
Bohr也指出，這已是較往年更為大膽的微縮程度，也一反日前新晶片制程世代出現時間變慢的發展趨勢。
英代爾指出，即使生產10納米晶圓的成本會比14納米高，但每顆電晶體生產成本會較低，而且在切換速度與功耗上都可獲得提升。因此，Bohr表示，在尺寸與效率上改善後，將可望讓伺服器晶片增加更多核心以及在GPU增加執行單元。
過去英代爾每2年都會推出新的制程世代來升級電晶體，但在14納米，該公司推出被稱為半節點(deminode)世代，也就是在10nm之前只針對14nm做出改善，而且在10nm後，預計在進展至下一個 7nm世代之前，也先推出2個半節點10nm+與10nm++。
目前三星電子(Samsung Electronics)與台積電也在生產10納米晶片，2016年10月三星更宣佈已率先量產，採用該晶片的裝置預計在2017年初上市，GlobalFoundries則傾向在2018年開始一舉進入7納米。
FROM PCDVD
相比之下，台積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當於Intel 22nm的水平
INTEL TSMC SAMSUNG 柵極間距
