maya95 wrote:
https://technews...(恕刪)
??不是下單給美國的台積電???
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stephenchenwwc wrote:
本樓圖順便給常常宣傳 GG 工藝"又"延遲消息的站友. 這是 GG 官方消息.
知識不足的人也難怪會只看得懂官方宣傳稿或 CPU Monkey
, 完全無視業界實際SRAM顯微量測值Samsung semiconductor logic-node
Samsung 官網也稱自己的SF3 是3nm, 你信還是不信? 拿官方宣傳來當事實, 笑死
老實說, 現在大家都遇上瓶頸了, 改名N3 SF3 Intel 3 就是讓各自有台階可下
^^A 請多多指教~
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MUS wrote:
老實說, 現在大家都遇上瓶頸了, 改名N3 SF3 Intel 3 就是讓各自有台階可下
資策會 - SRAM記憶體微縮瓶頸下，新興替代技術發展分析
台積電自己的官方公告製程細節
台積電於2022年12月IEEE的國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)上，公布最新N3製程技術細節，相較於N5製程SRAM單位面積的0.021µm²，N3與N3E對SRAM面積分別為0.0199µm²與0.021µm²，密度提升率僅分別為5%與0%(密度未提升)，SRAM微縮停滯的狀況明顯。
而SRAM的微縮瓶頸不只在台積電發生，如Intel 4製程的SRAM密度，相較於Intel 7製程也僅有約23%的微縮。顯見SRAM微縮速度不及邏輯元件的瓶頸現象，且不限於單一業者，而是尖端晶片產業共同面臨的問題。
Intel 4 則是0.024µm²
^^A 請多多指教~
製程遇上瓶頸時就是落後者可有時間慢慢趕上
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MUS wrote:...
台積電自己的官方公告製程細節
台積電於2022年12月IEEE的國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)上，公布最新N3製程技術細節，相較於N5製程SRAM單位面積的0.021µm²，N3與N3E對SRAM面積分別為0.0199µm²與0.021µm²，密度提升率僅分別為5%與0%(密度未提升)，SRAM微縮停滯的狀況明顯。
而SRAM的微縮瓶頸不只在台積電發生，如Intel 4製程的SRAM密度，相較於Intel 7製程也僅有約23%的微縮。顯見SRAM微縮速度不及邏輯元件的瓶頸現象，且不限於單一業者，而是尖端晶片產業共同面臨的問題。...
麻煩把 GG 發表新工藝時, 完整的訊息全 PO 出來好嗎?
算力增進 幾%, 功耗 降低 幾%. 這兩點關乎電性, 才是客戶想要的.
不然, SS 老早就發佈 SS 3nm, 為何沒客戶買單!?
i社也是啊! 既然 dimension(就是你講的密度)已曝到位, 就繼續用自家工藝生產即可.
別說來不及. 對手 AMD 也是要一年後才有產能. i社就自己進機台, 時間來得及啊!
GG 官方的消息, 還會輸其它地方有條件的展示區嗎? 哈
還有, GG 是會在對外消息稱這廠是 幾nm.
N90, N45, N28,.....這是代號, 很早就有了.
還是老話一句:
整天在強調電晶體密度, 不是辦法.
i社都要放棄下單自家 Fab 了, 難得還有一群粉幫辯護.
intel CPU, 不是只有 i粉會用, 大家都用過一些...
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1000K wrote:
SRAM確實遇到撞牆期，但這不表示製程技術未來沒有發展
Density除外當然仍然有其他例如gate length就很直觀是大幅改進
TSMC 如同在龜兔賽跑中, 藉著幾個非設計出身CEO掌旗的英呆兒時期, 扎扎實實多跑了7-8年
這些差距是Intel 不可能拿回馬上, Pat預計的4年3 nodes (5 nodes是學TSMC的商業命名) 在明年才會看到最終是驢是馬
但問題就是TSMC 的研發能力的劣勢已經浮現, 所以CC Wei會做出喊話N3B>18A 就是為了掩蓋這一點
下一代該跑的GAA, BSPD 因為3nm延期過久所以跟著延遲, 這也是務實派CEO掌權的缺點
^^A 請多多指教~
intel 7 差 GG 5nm 差一大段喔! 所謂電性表現, 是要綜合 算力+功耗. intel 7 明顯處於下風. 現在, i社 有 intel 4 產品即將上市, 對手 AMD 是 GG 4nm
就是 5nm 的加強版, 一翻兩瞪眼. 你的態度很有問題, 到哪裡都是一樣, 聽句勸: 充實自己, 別只顧著表達情緒. 尤其是在公司開會時, 小心被轟出去.
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stephenchenwwc wrote:
i社都要放棄下單自家 Fab 了, 難得還有一群粉幫辯護.
intel CPU, 不是只有 i粉會用, 大家都用過一些...
小晶片的時代重視的是什麼? 可以自己想想, 現在大家都在拚積木了, 還在那裏看算力?
至於 i社下單TSMC 的原因....
1. TSMC 有最多的低孔徑EUV遠大於i社現有數量, 加上製程特性適合低能耗, 所以將特別主打低能耗而非高性能的Lunar lake委託代工, 在確保量能的同時也一併占用對手例如AMD, ARM等產能
2. Intel 將研發資金優先花在高孔徑EUV 作為下個世代的節點開發, 今年底至明年初會在Oregon取得全球首部High NA , 而TSMC目前取得高孔徑EUV的時間會晚了至少近1年
^^A 請多多指教~
你說的電性是高頻時還低頻阿 每種製成本來適合的地方就不一樣 連這都不懂XD 多學點東西吧
i社 接下來的產品動作, 會說明一切. 沒東西要聊的話, 就此先歇了.
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MUS wrote:...主因是 i社 Fab 的製程能力不給力!
至於 i社下單TSMC 的原因....
不趕快下單 GG, 難道要等 AMD 把市場吃過半嗎?
這可能是條不回頭路, 一試成主顧.
AMD 在旁邊偷笑...
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再次提醒一點: 半導體生產, 不是只有黃光模組部門.
我摘錄 strategicweapons 分享文 文中的結論:
Conclusion
I am very impressed with this process. The more I compare it to offerings from TSMC and Samsung the more impressed I am. Intel was the leader in logic process technology during the 2000s and early 2010s before Samsung and TSMC pulled ahead with superior execution. If Intel continues on-track and releases Intel 3 next year they will have a foundry process that is competitive on density and possibly the leader on performance. Intel has also laid out a roadmap for Intel 20A and 18A in 2024. Samsung and TSMC are both due to introduce 2nm processes in the 2024/2025 time frame and they will need to provide significant improvement over their 3nm processes to keep pace with Intel.意思是 GG SS 要對其 3nm 部分進行大改進以跟上 intel 腳步.
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諷刺的是:
i社 反過來下單 GG 3nm. 也許看清楚沒談到的部分,
就能理解 i社為何下這決定了.
設備不夠不是原因, 對手還要一年才取得 3nm 產能. 自己進機台即可. 自己做成本低, 還能自己封裝. 別忘了, i社領了米國不少補助. 自己做不用花大把時間溝通 磨合. 說不定還被 GG 打槍規格
Server 級以上, i社目前工藝根本不是對手. 要省電 省得過 ARM base 的嗎? x86 server 級也是節節敗退. 把自家 Fab 獨立出去, 讓其做"能力內"的事比較妥.
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