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其實這個就是控制晶片做的事情
基本上SLC>MLC>TLC在速度上跟壽命,絕對是階梯式的不平等,這個是物理特性
就跟腳踏車永遠不可能騎贏機車是一樣的
但是現在的技術,TLC可以用空間及讀寫數量去換取速度,這個就是控制晶片的工作
也就是說,TLC模擬了SLC的讀寫,使得速度上看SLC,副作用就是越滿載速度越慢
第二個副作用就是壽命更短,比原本還短......
至於apple這次應該是因為控制晶片的問題導致的...更新韌體確實可以解決問題
只是同一個64G的機種,居然有兩種規格(不是兩個供應商而已)
只是單純的不爽這個而已,用不用TLC其實只是差在壽命,我根本不關心
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WOLFLE wrote:
不一定，因為如果ML...(恕刪)
你可以參考一下人家測試的
海力士16G-MLC晶元：寫入速度約60M，讀取速度約600M（壽命約3000次完全讀寫）
海力士64G-MLC晶元：寫入速度約100M，讀取速度約780M（壽命約3000次完全讀寫）
東芝的64G-TLC晶元：寫入速度約250M，讀取速度約250~750M（壽命約500次完全讀寫）
東芝的128G-TLC晶元：寫入速度約280M，讀取速度約580M（壽命約500次完全讀寫）
閃迪的128GTLC晶元：寫入速度約280M，讀取速度約780M（壽命約500次完全讀寫）
其實TLC速度本來真的很慢的,但是你用過Sandisk還有三星的TLC SSD就知道超快
就是用空間跟壽命換取速度,反正抓准你也用不了多久
5年前的SSD你現在還在用?沒有吧...
很明顯TLC是比較快的(僅限沒滿,滿了就沒有空間去加速)
簡單說把,你TLC若是剩下30%以下的空間,速度會"極度暴降"
注意,是超級暴降,若是晶片處理不好,很容易導致APP出現問題(速度不穩)
這個是TLC的物理特性，是沒辦法改變的先天缺陷，所以若是你是TLC,勸你還是別裝滿比較好
否則讀寫，玩遊戲，只會讓你想哭．．．．
用控制晶元加速是基本做法了...請科普TLC SSD原理
另外手機是有一個電池一直供電,所以Trim可以在背景隨時處理
你若是真的測試,你會發現TLC的速度是上上下下,很不穩定,這個就是控制晶元的關係
以物理特性來說吧,SLC、MLC及TLC的讀寫速度依序從快至慢（約4:2:1）TLC只能是MLC的一半而已
