Rayco wrote:
其實目前TLC + LDPC 現在可以做到PE cycle 15K以上了~~ 直逼SLC~~~如果你可以看到這文章(http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=383&t=4163524&p=13)的第13頁的話,我有寫原因XD 可惜被砍掉了


拜讀了一下您的文章。

在認知上其實跟我自已的差不多,但是大大寫了實作細節。

可以這麼說嗎?
基本上就是靠控制器的強大校正(ECC Correction)能力,
讓整個記憶區塊有更高的錯誤耐受力,所以整體來説PE並不差。

MLC也不是不會死,以前(四五年前)工作的公司有產品就是
因為要反覆寫入檔案(同一個檔案可能每秒要寫10次以上),
用MLC顆粒的CF Card測個幾天一兩星期一樣會掛。
最後是想辦法寫到機台上的SRAM(不過會有電池掛掉資料不見
的問題,但總比寫到CF上好)解決的。

沒人笨到會把TLC的Cell直接拿來反覆讀寫到壞掉好嗎?
一個產量以「億」來算的產品,研發人員一定會做對應的測試。
不是會google會爬m01,ptt的文就比人家世界級的精英工程師還厲害...
與失敗為伍者,天天靠盃都是別人的錯。 與成功為伍者,天天跟失敗切磋直到不再出錯。

david818 wrote:
TLC成本較低就是因...(恕刪)



那個技術不是根據理論演變出來的??
所以你寧願相信沒有理論的胡說,也不要相信有科學根據的說法??
這年頭的人真奇怪.....

Jimmy_Sung wrote:
以前買Tigra 1...(恕刪)


講到車就又是另一件事囉
事實上水冷根本也不是什麼新技術了
20年前就已經相當成熟
但基本上多了一個水冷就多了一個維修變因
騎個三、五年可能都還算在新車的甜蜜期
零件還沒到老舊需要開始汰換的時候
等時間拉到十年、二十年
或是里程十萬以後開始
的確就是需要考慮的地方
只要需要拆開維修時...就考驗著維修者的手路
很多車本來都不是被騎壞的
而是被修壞的....

david818 wrote:
TLC成本較低就是因...(恕刪)


其實品質是一樣的,他的物理特性並沒有改變,改變的是他的電位比較較細,所以比較容易讓distrubution跑掉,所以你實際去比較,同樣容量的TLC跟MLC報價,其實差距並沒有說非常大,大概在兩成左右,但是TLC的controller成本卻是較高,所以他的確比較便宜,但沒有像一些人說的什麼好幾倍,

NAND 報價 (http://www.insye.com/dp/NANDFlashContractPrice.aspx)

身心俱疲 wrote:
TLC在大量讀寫時只能撐一兩年 這實在很令人堪憂!
...(恕刪)


如果你每天都會把iPhone塞滿, 又清掉, 又塞滿
你再去擔心這個吧
在有控制器及EC的協同下, 整體TLC的壽年並不是像你這樣估算的

iPhone TLC如果真的這麼爛, 明年年底後..若全世界的iPhone 6 真如你擔心的一台一台死去..
APPLE應該就別玩了

你這麼不相信APPLE..就別買iPhone吧.

買個手機弄到身心俱疲...不是自找麻煩嗎?
iPhone不是沒出過包,蘋果也不是沒出過失敗的產品,

但同一品項商品就能做出產品差異這真的是頭一回。

iPhone 6/6+ 64G將來在二手市場必然面對TLC與MLC的價格高低甚至有沒有人想買的差異,

要證明TLC手機實務上可以用兩年,就必須要花兩年的時間證明,

然而就算證實可用兩年,到時候也不過是幫iPhone 6s、7...背書而已,

6/6+本身屆時的需求已經是非常低了(如同現在的4/4s)。

如果會在意者現階段應該以16G或128G做考慮。

64G縱使購得MLC版本也不能保證不會壞其他部分,

而一旦故障,送修時也不能保證不會換到TLC版本。

忘東忘西 wrote:
那個技術不是根據理論...(恕刪)


重點是大家講的可不是什麼理論
而是實務經驗
事實上現在MLC製程已經從2x到1xnm持續演進
Nand的壽命也只是越來越差

李小傑F20 wrote:
TLC正常使用大約1...(恕刪)

這哪裡看到的數據?拜託要講也貼有力點的好嗎
KCLin0423 wrote:
話說
給插卡不就甚麼事都沒了

為何堅持不給插卡? sim 卡都可以插了,sd 卡堅持不能插,除了想多賺錢外
想不到甚麼原因...(恕刪)


話說
還有人期待iPhone 可插卡?
都幾年了.
為何堅持要求APPLE? 你買Android就好了啊?
想不到甚麼原因.

(要不要順便要iPHONE可換電池啊?)

bluesystem wrote:
拜讀了一下您的文章。...(恕刪)


其實SLC也會死阿...而且在實際的使用上,因為成本考量,SLC的容量通常不會很大,因此他很容易就把資料寫滿,其實這樣用下來,小容量SLC並不見得比大容量TLC耐用多少,特別是大容量需求的使用者

其實所謂的寫滿並不是真的把容量用完,假設他有1000個位置好了,NAND在使用上是從0~1000往下寫,寫完之後才會回頭寫已經空下來的地方,並且因為還要讓每個位置的PE次數平衡,所以在使用上可以看成他是平均寫完0~1000 然後從頭寫,這樣一來,TLC 可能就是三倍的空間,自然你一樣的使用量,TLC的PE次數就會剩下三分之一,而容量越大,PE的次數就會更少,這也是為什麼除了我們用ECC來提高TLC的PE次數外,實際上我們讓容量增加,我們也可以降低我們需要的PE次數的主要原因
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