這下TSMC 殺無赦了...
CAMRY車主 wrote:
不過在中科上班的人，...(恕刪)
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為此ASML還買了Cymber 更邀請intel tsmc *** 入股 大家一起來搞定
而且用上euv 最好是使用450nm 目前的產能速度還是太慢
不過有半年沒再看演進了...
TSMC不是萬能的，沒有ASML努力 演進持續卡住中
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EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎 2014-2-26 20:56
ASML的量產型EUV光刻機在TSMC現場初試時出現失誤。
在2014年加州SanJose舉行的先進光刻技術會議上TSMC演講中透露此消息，由於EUV光源內的激光機械部分出現異位導致光源破裂。因此EUV光刻機停擺。TSMC的下一代光刻部經理Jack Chen證實僅是激光的機械部分故障。
ASML/Cymer計劃迅速解決問題，按Chen的看法，EUV仍有希望。儘管EUV光刻出現問題但是TSMC計劃在10nm節點時能用上EUV。
近期EUV光刻機出現一系列的問題被曝光。有些專家認為在TSMC現場出現的光源故障對於EUV的實用性，尤其是對於未來的量產型EUV光刻機客戶會產生疑惑，可能會延續一段時間。
目前對於EUV光刻機的問題集中在光源，實際上尚有不少問題待解決，如EUV的掩膜與光刻膠等。
光源問題
ASML的第一代量產型EUV光刻機NXE;3300B近期己運抵TSMC。而Intel，Samsung和其它客戶都有望在今年也拿到設備。這類EUV光刻機的數值孔徑(NA)0.33，4X放大及分辨率為22nm(half-pitch)。
運抵TSMC的NXE 3300B裝上ASML/Cymer的30瓦EUV光源。按TSMC說法，原試車計劃在1月31日前舉行，但是由於激光的機械部分出現故障，導致設備停擺。直到2月24日設備仍不能開動。
此類光源由Cymer公司研發，近期它己被ASML兼併。ASML/Cymer曾經承諾在2012年底時提供100瓦光源。但是至今Cymer在實驗室裡能提供40-50瓦光源。
Chen說，可能是EUV光源的內部件出現故障，即集光鏡。此類EUV光源是基於激光型plasma(LPP)技術。在LPP中由激光脈衝產生的等離子體射中靶子。光源也利用一種pre-pulse laser和一種主振功率放大器(MOPA)來邦助提高光源的功率。
當一個55瓦光源可使EUV光刻機的晶片通過量達到每小時43片，顯然從產業角度至少需要80瓦光源，而且能穩定連續的工作。因為當光源功率在80瓦時可以每小時58片。ASML的計劃在2015年時光源功率能達到250瓦，可實現每小時126片。
jeremy0519 wrote:
應該差不多突破了，電...(恕刪)
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addex1 wrote:EUV應該要看ASML的Roadmap吧
我是說漢微科做電子束檢測，沒錯阿，我只是想說，檢測Particle的機台廠商，技術都可以比外國機台廠商利害了，以台積電的研發能力，相信過不久就會突破了，10nm以下技術只能依靠電子束跟Euv,就看那個技術先突破，因為through put 產出太低了，不符合量產條件，至於你說的ASML,連英特爾跟三星都有一起開發測試機台，包含台積電，機台廠商只是會作機台喔，真正要能夠順利量產，還是要靠台積電才有辦法
產商才會急著請大家測試，因為機台沒有測試成功，就賣不出去，沒多久就倒了
我只是要回應camry大，台積電是台灣的驕傲，技術第一，短短幾年技術就到20nm,吃下iphone最重要的CPU,把三星的半導體打趴，如果台積電也不行，電子業就整個讓韓國拿走了
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