針對美光（Micron）先前質疑 4F² 架構缺乏實質密度效益的說法，中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT）於日前的投資者關係記錄中證實，其第六代 DRAM 技術平台基於 4F² 架構開發，且已順利通過工程樣品驗證，首款產品預計於2026年年底前向客戶送樣，展現其在下一代記憶體技術路線上的布局與信心。
日前，美光總裁兼技術產品長 Scott DeBoer 在技術研討會上明確表示，美光將堅持 6F² 技術路線並直接轉向 3D DRAM 開發。DeBoer 指出，美光已對 4F² 架構研究超過20年，認定其缺乏可行的微縮路徑，甚至直言 4F² 的部分討論僅是「煙霧彈」。美光認為，決定 DRAM 位元密度理論極限的關鍵在於電容器間距與尺寸，而非晶體管的佈局方式。
面對美光的物理限制質疑，長鑫存儲回應稱提升位元密度屬於複雜的系統工程，字線、位元線與電容結構均在爭奪有限空間。長鑫存儲指出，在特定製程節點下，不同架構在製程整合複雜度、微影步驟數及熱預算上各有其成本曲線；各晶圓廠基於技術歷史、現有產線、專利組合與資本支出做出不同選擇，均值得理解與尊重。
在技術細節方面，長鑫存儲的 4F² 架構採用垂直環繞柵極（Vertical Surrounded Gate, VSG）晶體管技術。公司自成立以來即持續投入 4F² 研發，目前已擁有超過 300 個公開專利家族。該架構透過改變晶胞佈局將面積係數從 6 降至 4，使其能在深紫外光（DUV）微影技術可達到的尺寸下提升晶片密度。
長鑫存儲規劃於年底前後推出結合 4F² 與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的 DDR5 RDIMM 伺服器模組，後續量產將視客戶驗證與市場需求推進。分析指出，鑑於伺服器模組對可靠度的極高要求，首代產品將主要用於技術驗證。
儘管美光選擇跳過 4F² 直攻 3D DRAM，但全球記憶體巨頭三星與 SK 海力士仍持續投入該技術研發。其中，三星在 ISSCC 2026 展示了結合垂直通道晶體管與晶圓級混合銅鍵合技術的 16Gb 4F² 原型，計畫於 10a、10b、10c 節點採用 4F²，至 10d 節點再轉向 3D DRAM，半導體 CTO 宋載赫亦證實研發持續推進。
至於，SK 海力士則是採用垂直柵極路線，預計可提升位元密度 20% 以上，已於2026年7月完成測試陣列讀寫驗證，並計畫於12月 IEDM 發表無電容 4F² 技術論文。
