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ty000051 wrote:
有分割麼?有沒有對齊...(恕刪)
並不意外
#33樓可以看到相同的測試數據
http://forums.overclockers.co.uk/showthread.php?p=21745691
官方所宣稱數據為ATTO <<Standforce 利用壓縮運算將最高讀寫 拉得很漂亮
壓縮如同WINRAR:文件可以壓，但影片音樂/ISO檔都不能壓
當使用ASS /crystaldisk 等測試真實讀寫時 就見真章
另外已相同架構的Corsair F60GB3A 一樣採用2281 出來的數據也相差不遠
http://www.links.co.jp/item/cssd-f60gb3a/
CrystaldiskMark 有三種模式 預設是:亂數，可以從文件>測試資料來選擇其他的測試方式，可以稍微彌補一下失落的心情
跑ATTO保證讓你開心
但基本上已經很快了，330 也很便宜了，且INTEL 保固又好，韌體編寫能力加油點
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不可壓縮資料的寫入和Flash顆粒的CE數xChannel數呈正相關,
60GB的SSD通常是8GBx8CH, MLC的Flash一個Channel 一顆1CE的Flash
寫入速度大約是8~9MB/sec,
所以60GB的SSD寫入速度在70MB/sec.上下很正常,
若是用4GB x 16, 或是8GB 2CE x 8的會快一點,但是不是Double,有90MB/sec.就很不錯了,
ATTO能測到500MB/sec.的寫入速度那是以高度壓縮的資料的Burst速度,
用Marvell Solution測出來的速度也別太信以為真,
實際你的Flash寫入速度也是只有那麼快,
通常測到的速度是DRAM的加分效果,DRAM塞滿了之後,
速度反而沒有SandForce的快,因為少了壓縮,Marvell的IOPS比SandForce低很多,
不信,把DRAM緩存關掉,測一下就知道了,
但這也不是很公平,一般使用的環境沒有絶對也不是固定的,很難說什麼公不公平,
每個人挑自己喜歡和滿意的就好了!
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Sumesis wrote:
用Marvell Solution測出來的速度也別太信以為真,
實際你的Flash寫入速度也是只有那麼快,
通常測到的速度是DRAM的加分效果,DRAM塞滿了之後,
速度反而沒有SandForce的快,因為少了壓縮,Marvell的IOPS比SandForce低很多,
不信,把DRAM緩存關掉,測一下就知道了...(恕刪)
對於你這段的講法，個人是覺得非常可疑，
以CrystalDiskMark來說，
預設的測試資料量就是1000MB*5次，遠大於DRAM的128MB，
最好是這樣的測試會測不出來真正的效能，
更不用說關掉DRAM這種神奇的說法，
因為DRAM不只是拿來當作cache，還有資料映射跟平均抹寫運算的用途，
關掉DRAM應該是連用都不能用了，更不用說測試了。
另外，
你那資料壓不壓縮會影響IOPS的說法也很有問題，
因為資料壓縮不是什麼資料都可以壓縮，
影響IOPS的效能的因素很多，只歸咎於資料壓縮是顯而易見有問題的說法。
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