akenomeisei wrote:
的確目前來講是不會管(恕刪)
如果是記憶體超頻產生的藍屏很好判斷
看WINDOWS的事件檢事器 系統
找到藍屏的時間
如果找不到的話
肯定不是記憶體引起的藍屏
聯群主控的SSD都是貼牌的
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個人覺得應該是超頻問題，後來沒有特別超頻後就穩穩的用了
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抱歉，後來升級配備後，這個就當作備用沒再使用了
2024年有消息傳出達墨已經停業了。台灣公司網那邊查，狀態是停業。保固自求多福囉
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當時殺價收到貨退100人民幣。5000台幣左右。
貼紙還在的時候拍的
PRO版使用長江的顆粒，一般版使用美光顆粒
標準版目前的價格
這款英韧IG5236，很挑外接盒，前陣子因為ASM2464外接盒，接在USB3.0 USB孔，反覆斷連幾次後導致掉固件。
被ASM2464外接盒搞死了。
ASM2464功耗太高了，再加上英韧IG5236主控本身的功耗也高，USB3.0 接口 供電最大只有0.9A，有可能電流不足導致。
這裡指出 SSD 的「邏輯 0軌」或「底層系統區」發生了致命錯誤。
傳統硬碟 (HDD) 的 0 軌是物理位置固定的（磁盤最外圈）。
SSD因為磨損均衡 (Wear Leveling) 的關係，LBA 0 今天可能在第一顆 NAND，明天可能被搬到第四顆 NAND。
主控發現 LBA 0 指向的物理地址打不開，或者是儲存「地圖」本身的區塊（元數據）壞了，這就是邏輯 0 軌致命錯誤。
「底層系統區」：元數據
主控晶片會在 NAND 中劃分出一塊作業系統看不見的區域，用來存放：
映射表 (Mapping Table)： 記錄 LBA 與物理 NAND 位址的對應關係。
壞塊管理 (Bad Block Management)： 哪些區塊已經報廢。
韌體資料 (Firmware)： SSD 自己的作業系統。
長江顆粒3dv3-128L(X2-9060) YMTC 128 層 TLC 顆粒，由於貼紙早就撕也丟了，自然沒有保固
用金屬捏子或是電線短路紅框兩個接點，再插入USB，還能進ROM Mode，還有救。
量產部落網站有最新版本，但是要花錢買。有買過的人可以提供出來造福大眾。
以不花錢為最大原則在GitHub上找的量產工具，不是最新版，死馬當活馬醫，我也不知道能不能用
https://github.com/hny3494317690/Seika_SSD_Utility_Tools/tree/packages-7z/Innogrit
登入密碼是admin
經過兩三小時的試錯，終於刷成功，救回來了。
使用ASM2362外接盒，開卡
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可以刷成pSLC ，但是容量只有1TB出頭，變成一個超耐用的SSD
PSLC優點
速度跑滿不降速。
耐用度大幅提升，寫入壽命通常可以達到原生 TLC 的 10 倍以上。
資料存放的穩定度比 TLC 高出許多。
缺點
TLC 轉 pSLC： 容量直接變成原本的 1/3。
QLC 轉 pSLC： 容量直接變成原本的 1/4。
因為容量縮水，每 GB 的成本會直接翻 3 到 4 倍。這也是為什麼市面上「全盤 pSLC」的工業級 SSD 價格非常驚人的原因。
裝在RTL9210B外接盒中，效能溫度都很正常。不要再挑戰 ASM2464 + 弱供電了。
室溫28度，待機主控溫度 39度 NAND顆粒 32度，跑一趟CrystalDiskMark，主控升溫3度 NAND升溫1度，散熱器幫了大忙
用貓頭鷹4公分風扇，為的是低噪音
CrystalDiskMark 1GB 5個循環 ，壓力太小了
連續寫入1TB 資料
總花費時間 19分 04秒 ， 1050976MB / 1144 秒 = 918.68 MB/s 平均每秒寫入速度
室溫27度 主控最高溫度 43 度 ， NAND顆粒最大溫度 38度，散熱器的均溫性很好 ，主控跟NAND有確實跟散熱器接觸
不降速、不掉盤、發熱低
與達墨原廠軔體比較，開卡參數有差異，這次刷的軔體可能OP（Over-Provisioning，預留空間 / 超額配置）保留較多，導致容量縮水95GB，能用就好，不繼續折騰
OP「隱藏起來不讓作業系統和使用者看到、專門留給主控晶片（Controller）自己調度的專屬空間」
1. 垃圾回收（Garbage Collection, GC）的「週轉空間」
進行大量資料寫入時，主控需要這個隱藏空間來快速挪動資料、執行 GC。如果 OP 空間太小，SSD 在快滿的時候寫入速度會發生「斷崖式掉速」，甚至卡頓。
2. 降低寫入放大率（Write Amplification, WA)
有了足夠的 OP 空間，主控可以更有效率地把零碎的資料打包整理後再寫入，大幅降低不必要的重複抹寫，這能直接延長 NAND Flash 顆粒的物理壽命。
3. 損耗平均技術（Wear Leveling）的調度
主控晶片會利用 OP 空間作為備用池，把經常被改寫的「熱資料」移到抹寫次數較少的健康區塊，確保整顆硬碟的顆粒是「均勻老化」的，而不是某幾個區塊提早陣亡導致整顆硬碟報廢。
造成 SSD 核心區塊（邏輯 0軌）損壞的原因
異常斷電 (Unsafe Shutdowns)：這次掉固件的原因
這是 SSD 的頭號殺手。當 SSD 正在背景進行垃圾回收 (GC) 或更新 FTL 映射表時，如果突然停電或強制長按電源鍵關機，映射表寫入到一半中斷，就會導致邏輯錯亂，造成「軟性 0軌損壞」。
高溫熱積累：
主控晶片長期在高溫下全速運作，容易導致 FTL 運算錯誤或讓鄰近的 NAND 顆粒產生電子偏移，進而引發壞塊。
主控晶片或韌體 Bug：
某些特定型號的主控本身存在韌體缺陷，在特定讀寫負載下會自行引發邏輯崩潰，導致映射表丟失。
劣質或翻新顆粒：
如果 SSD 使用的是黑片或降級顆粒，這些顆粒本身的體質極差，用來存放核心系統區的區塊提早陣亡，就會引發連鎖反應。
跑NAND FLASH 顆粒檢測
下載網址http://vlo.name:3000/ssdtool/
長江存儲的第三代 3D NAND，也就是著名的 Xtacking 2.0 架構。
驚人的「超低壞塊率」
總共 64 顆晶粒，在出廠檢測時只找到了 114 個初始壞塊 (Bad Blocks)。平均下來，每一顆晶粒不到 2 個壞塊！
即使是三星、美光原廠的高階正片，單顆 Die 帶有幾十個出廠壞塊都是非常正常的（廠商會用屏蔽技術隱藏）。這顆 4TB 加起來才 114 個，這代表晶圓切割下來的體質極度純淨，絕對不是那種邊角料封裝的「黑片」或次級「白片」。這是妥妥的高階原片等級！
正反各有一顆 Micron（美光）FBGA 封裝代碼：D8CJX
這是一顆 DDR4-3200 的高速記憶體 ，單顆2GB容量
總共配備了 2GB + 2GB = 4GB 的 DDR4 獨立快取記憶體！
1XF75 出生證明解碼
1：製造年份 (Year)
這代表年份的最後一個數字。這顆 DDR4 高速顆粒是在 2021 年 製造的。
X：製造週期 (Work Week)
美光的週數代碼非常特別，他們用英文字母來代表雙數週。在美光的工程字典裡，X 對應的是一年的 第 48 週。也就是大約 2021 年的 11 月底到 12 月初。
F：晶片版本 (Die Revision)
這代表這顆晶片使用的是美光極度成熟的 F-Die 矽晶圓架構。
7：晶圓製造地 (Country of Diffusion)
這代表最核心的矽晶圓 (Wafer) 是在哪個國家的無塵室裡烤出來的。在美光代碼表中，7 代表 台灣 (Taiwan)。
5：封裝測試地 (Country of Encapsulation)
晶圓在台灣切割完畢後，要送到哪裡去裝上黑色塑膠外殼跟底部錫球？代碼 5 代表 中國 (China)（通常是美光位於西安的封裝測試廠）。
認同整理SSD因掉韌體而不認碟損壞，可能造成的原因，很好的整理
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