公司機SSD, 請推介比較耐用的

186分

31樓

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文章編號：67021780

SMI已經是世界級控制器的大廠了，台灣人不要看輕自己，外國的月亮沒有比較圓。Marvell的風光時期是之前跟Sandforce大戰的那個時期(大家誤會SF的掉速其實為了保護NAND, SF賣給LSI後來賣給希捷，轉戰Server市場了)。後來台廠就追上了，大家信仰的大廠SSD裡面用的很多都是SMI (MX500/Intel 545s/Intel 600P)

streethill1126

186分

32樓

streethill1126

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文章編號：67021834

delenatii wrote:
呵~這不就是中國認證...(恕刪)

Samsung目前在記憶體的地位短期的確無人能撼動，台灣加油!

vspebrian

6701分

33樓

vspebrian

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文章編號：67023037

streethill1126 wrote:
Samsung目前...(恕刪)

三星確實比較大.... 但是Nand有個特性, 越先進的製程, 可寫入次數就越少. 15奈米與19奈米做出來的Nand, 可寫入次數是不一樣的, 為了不讓寫入次數繼續下滑, 各廠開始做3D多層, 從32層,64層,72層... 現在已經有96層的產品計畫, 東芝也在實驗室完成128層的產品計畫很快就要量產.

三星為了降低產品售價, 拚產出位元最大化, 投資大量先進製程的產能. 這樣做確實是在擴大市佔率與提高獲利. 不過呢...懂這個Nand原理的人, 若是他買了SSD打開外殼一看, 買到了三星顆粒的3DTLC, 應該要落淚的. 呵呵.

理論上, 因為寫入次數較少, 三星的SSD, 永遠不可能出現在我的優先購買名單裡.

streethill1126

186分

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streethill1126

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文章編號：67023167

vspebrian wrote:
三星確實比較大......(恕刪)

認同

越多層，電壓對位越難，良率難度更高，3D Nand剛出來時的32 layer用25nm製程就很正點

vspebrian

6701分

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vspebrian

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streethill1126 wrote:
認同越多層，電壓對...(恕刪)

現在三星已經有14奈米製程, 新廠要往10奈米與7奈米前進. Intel說10奈米製程要用來做3DTLC. 其實這對使用者來說, 都是惡夢. 因為可寫入次數會更少, SSD會更不耐用. 反而是製程進展較落後的美光, 海力士顆粒, 或是介於中間的19/15奈米的東芝顆粒的SSD, 相對才是上選. 因為可寫入次數越多, 代表壽命越長