Fujitsu 富士通 FSX 120GB SLC SSD 固態硬碟 有人用過嗎?

信也好,不信也罷!在業界有一些事情是不能講的秘密,但每家廠商都在做,
想要證據?呵呵~業界裡是有一些潛規則的,但不變的是3C的產品一分錢一分貨。
iPhone 6/6+ 128G的TLC事件應該不陌生吧!但現在廠商不再用TLC這個字眼,
改成用3bit MLC這個名詞了,為啥呢?商業模式上不是只有YES或NO這二種選擇。
唉呀~~我怎麼也攙和進來了啊!快閃~
≡≡ 覺人之詐,不憤于言;受人之侮,不動于色;察人之過,不揚于他;施人之惠,不記于心 ≡≡

HIMALAYAS wrote:
信也好,不信也罷!...(恕刪)


這棟樓,一開始也不是所有人都信. 也有些人質疑, 但如sun兄所言,從顆粒上,長得就不像是intel的顆粒.

沒人質疑sun兄,沒爭論不是嗎?

且連sun兄也早提及:
sun88990 wrote:
不過這咖應該是用貨真價實的SLC沒錯
而且聽對岸消息是用Hitachi企業級SSD拆下來的顆粒...(恕刪)



本棟開始的爭議點始於 changpizz說"MLC消耗一半轉為SLC".

changpizz wrote:
MLC轉換成SLC是要耗掉更多容量才行 所以120G售價等同原廠正規MLC 240G價格
..(恕刪)

changpizz wrote:
Intel SLC 同步顆粒 也可能= 顆粒是intel丟出來的垃圾 + 轉為Single Level Cell & 可以開同步模式
..(恕刪)

changpizz wrote:
其實顆粒也都是晶圓 至於SLC MLC TLC 那都只是後來區分的
..(恕刪)


試問HIMALAYAS, 也很清楚這些"常識"嗎?

這是您的常識,不是我的常識,我是既沒有常識也沒有知識...
richard_huangtw wrote:
試問HIMALAYAS, 也很清楚這些"常識"嗎?
≡≡ 覺人之詐,不憤于言;受人之侮,不動于色;察人之過,不揚于他;施人之惠,不記于心 ≡≡
richard_huangtw wrote:
這棟樓,一開始也不...(恕刪)


他說不像你大可以也喊著要證據,我相信他除了貼貼圖以外,要更多所謂證據,也同樣是不理會的.

犧牲容量轉換這早在過去就已經存在的技術,本身就沒有需要質疑.
SMI當年的技術你自己不也提到了嗎? 三星現在不也是一樣?
那怎麼會做不到呢?

SLC快取就是儲存方式上轉變,但是因為是SLC方式,
才讓速度提高到幾乎跟原本的SLC一模一樣,
拆件,重工 這我在最前面回答你時候就提到了,
還說明熱風槍以及高溫烤箱都是會影響壽命.

你乾脆這樣問算了,我前面說的到底有哪些是假的,不真實而且純屬虛構,這樣會不會更快一些?

另外一點,對自己說話要負責任,別人教不教我不清楚,但是我不喜歡言而無信.
每個行業確實是需要規矩,遇到言而無信,或是到處騙報價的行為,
在這個行業裡面真的都是非常不歡迎的,

changpizz wrote:
過去是SSD挑剩的拿去做USB 現在是USB挑剩的還想再回來做成SSD
要不就是拿MLC 轉成SLC 不然就是sorting打掉的垃圾SLC 才有可能這價格


看大家吵成一團,雖然我不是業界的人,但SLC和MLC應該從製程就不同吧!?沒有什麼MLC轉成SLC這回事吧 !?
我只是路過而已,我跟所有網友也都不熟,但中立的來說,我也覺得changpizz說錯了

但我還真的不是業界的專家,也可能是我見職淺薄不曉得有這種技術
changpizz既然覺得自己是這一行的專家,何不說明清楚自己是在哪間公司哪個職位,讓大家比較能信服些?說服我們世界上有"拿MLC 轉成SLC"的技術存在。


waterglass wrote:
說服我們世界上有"拿MLC 轉成SLC"的技術存在。


沒全部看完
不過changpizz說的應該是用firmware達成
這個連結可以參考一下,運用該技術後容量是要減半的...

http://www.innodisk.com/Technology/Technology.aspx?dGVjaENsYXNzX0dyb3VwSUQ9ZTQ4MWZlMDUtZDllOC00OGYzLTkzMTUtYjA1ZDJlNTgyYjAwJmRmbF9JRD0wMDI%3D



iSLC是宜鼎國際藉由調整韌體(firmware)所獨家開發的技術,搭配上優異的快閃記憶體篩選技術(sorting),讓快閃記憶體的效能、穩定性與使用期限,都直逼SLC NAND flash,但卻維持價格的合理性。採用的iSLC技術後,NAND flash的使用壽命可達MLC-based flash的10倍,重覆抹寫次數達3萬次,經過韌體技術改良,資料傳輸的可靠度就有如SLC-based flash。宜鼎國際搭載 iSLC技術的全系列產品是擁有極佳投報率的flash產品。



iSLC調整了MLC上的韌體設計,每個儲存單位上僅有0和1的儲存狀態,提高電壓的容許差,就如同SLC的韌體設計一樣,因此,能達到SLC的穩定度與耐受度。



宜鼎國際的iSLC系列,非常推薦來替代MLC,以達到更好的性能與投資報酬率,特別是隨著未來快閃記憶體製程不斷演進,MLC將更需要一個更好的後端韌體設計,來符合應用的需求。




iSLC和MLC韌體設計的差別


iSLC和MLC韌體設計的差別







不同Flash的使用壽命

iSLC耐用年限

採用iSLC技術可讓flash產品的重覆抹寫次數達 30,000 次,可讓32GB容量的SSD在每日寫滿的情況下,使用壽命超過7年,非常適合於工業應用。

waterglass wrote:
看大家吵成一團,雖...(恕刪)


你從哪看出大家吵成一團了?

只因為你不是專家,又不是業界的人,我就成了說過我是所謂"專家"了嗎?
要讓你信服就要提供自己在哪家公司,擔任什麼職務的這些私人資料!?
難道你不認為自己這邏輯很怪嗎??不也是一樣地球繞著你轉的態度了?!

沒有人需要向你證明什麼,而且我認為這觀念,
都是華人經營的企業,才容易會讓人有如此的奇怪觀念.
你怎麼不先公佈自己的資料,讓大家看看你是不是說真話呢?
不然你為何有資格要求別人照你想法做些什麼?

還是大家今後討論電腦知識時,也都要依照你這想法做到如此?
一般人都要先行提供財力證明,證明買得起電腦?
或是學生要公布是哪家學校的,證明有學習過這方面知識?
社會人士都提供是哪家公司哪個職位?代表有資格評論對錯?
所以就代表著說,只要是財力夠,學校好,大企業職位高,就連放個屁都是香的了?

還是老話一句:請問你哪位啊?!

帽子人人都會扣,別來這套了吧

0931779549 wrote:
沒全部看完不過changpizz...(恕刪)


終於有人能理解原先討論的主軸是什麼了,不再是一堆鬼打牆的迴圈問題了
從來就沒有人否認iSLC&aMLC是透過韌體編寫改變成類似SLC的東西
但是在本樓有爭議的是
1. 不清楚是否任何MLC跟任何晶片都只需要,韌體修改就能轉換
2. 除了韌體編寫之外,目前本版沒有人可以確定除了韌體編寫之外,在硬體製程上有沒有特殊處理
3. 不代表所有低價的SLC產品就「等於」是上述這些變種顆粒
h7878220 wrote:
從來就沒有人否認iSLC...(恕刪)


那你如何能證明它一定是"SLC"呢?

你的前提都是它確確實實的是原廠顆粒,
只要這點不存在,那你有什麼立場來爭論?我不能有其他想法?

你知道SLC的原廠保證標準是什麼嗎?這種產品“絕對”不是在標準中的SLC
我這句夠確定了吧!那你呢?

3. 不代表所有低價的SLC產品就「等於」是上述這些變種顆粒
上面這句話是你說的沒錯吧?那你告訴我,你是怎麼認定這產品一定「等於」SLC的呢?

如果不能的話,一樣我只能說:洗洗睡吧,你也沒其他理由了.....下一位!

(我實在好奇,講贏我是有獎金拿嗎?是誰家發出懸賞?面試時只要來挑戰我成功可以得到工作了嗎?
不然怎麼會這麼絡繹不絕?如果有請直接告訴我,我們可以55分帳的

這是我在另外一篇的回覆內容

http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=490&t=4342886

karoksam wrote:
可考慮這顆Fujitsu...(恕刪)




第一次看到SLC才用100多GB,就能出現壞區塊的情況!
就算是MLC也沒有這麼糟糕的問題吧!!

原價屋連圖片都不敢拍太近,那我來幫它放大吧!


原廠Intel 730上的顆粒圖

換張同樣封裝且更清楚的 原廠520 530用的顆粒.

最好是SLC隨便都能跑到500MB/s以上的速度,
SLC從過去就不是標榜速度快的優勢,400MB才是真正SLC該有速度.

如果這部分測試,都跑出這樣成績了,為何卻跑不出它們所貼的效能呢?



難道要說連全新狀態都跑不出來嗎?
至於SLC的SMART差異在哪裡,看圖比較就能知道了.
保留跟替換區塊預設企業級控制器就是會有的,我沒有在這產品上看到.
一般只有2281才不做任何預留,而SLC使用者要求的就是高穩定.(全新為保留32)


5.2.4版本FW效能表現是不突出的,我不清楚他的效能到底怎麼來的.
因為即使快取緩衝全都打開,照樣跑不到這麼優異的結果.
相信Gold FW或是關閉節能都不可能,全盤寫0x00都同樣到不了.
除非是等級或利用其他快取方式...所以我只能說...他的圖不是正常用過的SSD該有的效能.

建議你還是買ARC100 或是Intel 530用就好了,這價位一般使用者其實都夠用了.
這種來路不明的SLC顆粒,問題不見得真的就會比較少.
Intel在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的,但是在即将到来的3D NAND时代,Intel将推出自己的TLC闪存,另外还有一个非常重要的就是,TLC与MLC其实都是同一块芯片,这点和现在三星的3D NAND差不多,Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb,而TLC模式下每Die容量是384Gb。


闪存有三种工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式,默认的是2-pass编程模式,第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面,而第二次编程则会把upper page的数据写入。

而1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面,这样可以节省15%的编程时间,但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些,低多少并没有具体说明。

而TLC的编程算法则要复杂很多了,第一步和MLC的一步编程模式相类似,就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面,第二步则是写入extra page的数据,由于算法复杂,第二部编程时需要对数据进行ECC校验。

上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的,这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活,当然了产品的用户是不能这样乱改工作模式的。



這下應該沒人會再懷疑了吧?Intel官方都自己親口證實了,
顆粒轉換後就能因變動容量,轉成SLC or TLC來做使用.
只不過經過了快一年,才終於有這方面證實訊息,
這下我不用被當成說地球是圓的異教徒,一個個都想燒死我了.
http://www.expreview.com/40529.html
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