驗證 Qualcomm Snapdragon 810 過熱的原因?

稍微查一下S615和MT6752的評價, 意外看到S615功率動態調整是4 顆CPU個成1 cluster來調整功率, 換句話說, 就是沒有 Scorpion、Krait核心的aSMP(Asynchronous Symmetrical Multi-Processing) 功率動態調整技術. 沒辦法個別核心動態調頻和關閉.

這會不會就是Qualcomm Snapdragon A53和A57核心未重新設計, 照抄ARM的設計造成動態調整失控. 當然這只是猜測, 還需要各手機的實測, 看看 S810和S615的核心時脈是不是4顆CPU一起動作就可證實? 擁有S810和S615手機的版友歡迎提供CPU時脈截圖. 感謝.

2015-06-02 20:42 #1

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Ssin1235

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2樓

Ssin1235

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S615是因為用了台積電的坑爹28nm LP工藝
同頻率之下比起改良的HPM需求電壓高上一堆
所以隨便跑一跑就得降頻了

810會過熱是因為公版架構的A57效能高，但是能耗比非常差
相比之下A53最高效能是沒那麼強，但是每瓦效能就高上不少
簡單的來講就是沒修改成自主架構A57的CPU根本不適合行動設備
然後沒有什麼抄不抄，不管你是直接用還是要搞自主架構
你都還是要跟ARM買指令集，除非你能自己搞
另外蘋果的Cyclone也是跟ARM買指令集改過來的

umts

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樓主

umts

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Ssin1235 wrote:
S615是因為用了...(恕刪)

這些事實之前就就查過資料了, 我有興趣的是壓垮S810和S615的最後一根稻草, 失控的原因.

失去功率動態調整技術, 代表就算只有輕度的負載, 也要同時開啟4個核心, 這可能造成3個核心是在浪費電, 使得CPU就算待機也比MTK的CPU溫度還要高, 一旦CPU要開啟8核心全速運時, 更容易衝到降頻的臨界溫度. 這就我想證實的猜測.

umts

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樓主

umts

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在Sogi網站上的CPU-Z測試中確認, Qualcomm全系列的ARM v8都不具備aSMP功率動態調整技術.

真無言, 用台積電 28nm LP製程省錢, 可以理解, 用A57衝效能, 也可以理解. 但ARM v7會的技術到ARM v8就沒了, 如果不是為了趕鴨子上架, 而照抄ARM的功率調整設計, 會覺得Qualcomm太不尊重消費者, 拿半成品的設計來賣.

驗證 Qualcomm Snapdragon 810 過熱的原因?

小惡魔新聞台

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