MOS 頻率 100~500KHZ 耐壓 500~800vSic 高壓 > 1KVGan 頻率 500K~ 1M 耐壓 500~800vIGBT 頻率20~50K 耐壓 500 v , 電流密度 比MOS 高.其實功率元件很多 , si 上 除了 bipolar , MOS 是多數 , 但還有很多如 MCT GTO , SCR , TRIAC , IGBT . IGBT 電流密度 比MOS 高. 但速度慢 , 用在馬達上還 可以 .新一代 就 GaN , SiC .