SAMSUNG Galaxy Note 10+
內建 Qualcomm Snapdragon 855, 2.8GHz + 2.4GHz + 1.7GHz 八核心處理器、12GB RAM / 256GB ROM 。

Redmi Note 11 Pro 5G
Snapdragon® 695
CPU:八核心 CPU,最高可達 2.2 GHz
GPU:Qualcomm® Adreno™ 619
儲存空間與記憶體
6+64/6+128/8+128GB
---
不知道是拿那個版本來對比呢?

Samsung Note+ RAM 起碼是 Redmi 的 2-1.5倍不說,
也有把 Samsung Note10+ ROM 塞滿 92%來比較嗎?
再來常駐程式有哪些?

以及用 中低階對比旗艦機的想法是什麼呢?
Alex@_@ wrote:
請教一下各位先進前兩...(恕刪)
藍天椰影
樓主擺明就是來亂的阿,空間剩300是要怎運作,電腦你有本事硬碟塞到剩300看能不能運作任何軟體。
空間快吃完了

常駐程式也會吃記憶體

慢是正常的
現在Flash的是TLC甚至搞不好是QLC
系統本身作在這類Flash上別用到超過一半容量
否則就開始卡卡
你要知道如果他用QLC的話
表面看起來128G事實上在SLC Mode下只有32G
.

虛擬記憶體關閉

更新關閉

這台已更新
沒救了
結案

謝謝


.
只可建議別買中低階手機,以目前台灣上市手機,紅米系列都是中低階手機,要也要買中高階手機,就如小米數字T系列跟poco f系列
您好,不知這種說法是否有可以參考的說明(網頁...)。
據我所了解,SLC、MLC、TLC、QLC...等,而這個是關於單位儲存(單階/多階/三階/四階...),比較有影響的是性能與使用壽命
而容量不會因為製程或單位儲存等而有差異,也就是說,128GB不論SLC、MLC、TLC、QLC,就都是128GB,不會因為是SLC就變成32GB。
您的說法,我猜有可能是在說模擬SLC(或SLC快取),不過,這種應用應該不會出現在手機上(代價不低、佔體積)。

kkcity59 wrote:
現在Flash的是TLC甚至搞不好是QLC
系統本身作在這類Flash上別用到超過一半容量
否則就開始卡卡
你要知道如果他用QLC的話
表面看起來128G事實上在SLC Mode下只有32G
又是一個射後不理的帳號
德原醬油店
是不是工讀生來黑啊
Taiwan Nice wrote:
您好,不知這種說法是...(恕刪)


最終可用容量會一樣但是中間的表現可是會不同
模擬SLC快取不會佔體積。他就是保留一塊容量不做2-3-4bit的多電位寫入
例如128GB的QLC,我化一半64gb做SLC Mode,實際可用是16gb
大量寫入時我先寫到這一塊,等有空時在慢慢整理寫回到64gb那QLC部分
但是等到QLC那塊滿了我只好把SLC快取這塊恢復成QLC來慢慢寫入
Flash實際寫入狀況比這複雜多了,例如一次得寫一個page
有存資料的區域必須先讀出再一起寫入等等
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