台積電、ASML 與比利時微電子研究中心（imec）已在 2026 年 6 月的國際超大規模積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，正式宣布成功將「二硫化鉬（MoS₂）」等二維材料導入標準的 12 吋（300mm）晶圓產線。
在半導體先進製程的學名叫做「化學氣相沉積法（CVD）的直接硫化製程（Direct Sulfurization）」。這是材料學上極大的突破，意味著台積電在 1 奈米以下（埃米 A10 世代） 的「尋找矽材替代者」關鍵戰役中，拿下了決定性的量產技術門票。
台積電與合作夥伴成功利用高溫爐管，讓前驅物三氧化鉬（MoO₃）薄膜直接與流動的硫蒸氣（即您說的硫片/硫源加熱）進行精準反應，在 12 吋大晶圓上成功「均勻長出」無缺陷、大面積的單層二硫化鉬薄膜。
目前的最新進度是成功通過了「工業級產線的相容性驗證」，真正的商業化量產時間表預計會落在 2030 年前後（台積電 A10 或更先進的埃米世代）。
這次的「硫片成功」是拿到了進入工廠的通行證，但要真正變成你我手機裡的晶片，台積電還要花大約 4 到 5 年的時間在工廠裡調整設備、拉升良率。
為什麼..........量產要拖這麼久?
