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中文寫氟化氬指的是ArF,波長是193不是248,
若照中文ArF那是DUV沒錯,但光DUV只能到65nm以上, 除非能再做到整個曝光都在水中(就是浸潤式DUV),
若是做出浸潤式DUV,理論能力上是能符合所謂的解析度65nm以下, *套刻?*8nm以下
(套刻?新名詞? 難道是指triple patterning?)
(若用triple patterning也就是中芯邦華為代工的作法, 理論上最低能到5nm,
只是那樣做良率很糟且不穩,成本超高,產能超低,材料人力時間耗損都超大,Cycle time超長)
Ps.台積第一代7nm也是這作法,只是有了EUV就立刻轉EUV單次做!
但做出來其實也不意外(就是拆ASML的浸潤式再照樣子copy)，但穩定度勢必不行,故也不可能真敢拿去做5-7nm(估良率很可能掛蛋)!
硬體出問題要其他單位自己找廠商而不是透過設備? (除非單位是黃光製程而設備認定推到製程而非設備問題,不然開會爆出去設備會被K爆吧!)
內行的，當時我就是LT PE，一整個傻眼
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不要驚訝，他們是組團來騙人的，不是被騙。
騙? 少往自己臉上貼金
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ufal0071 wrote:
這標題在寫什麼鬼???
中文寫氟化氬指的是ArF,波長是193不是248,
若照中文ArF那是DUV沒錯,但光DUV只能到65nm以上, 除非能再做到整個曝光都在水中(就是浸潤式DUV),
若是做出浸潤式DUV,理論能力上是能符合所謂的解析度65nm以下, *套刻?*8nm以下
(套刻?新名詞? 難道是指triple patterning?)
(若用triple patterning也就是中芯邦華為代工的作法, 理論上最低能到5nm,
只是那樣做良率很糟且不穩,成本超高,產能超低,材料人力時間耗損都超大,Cycle time超長)
Ps.台積第一代7nm也是這作法,只是有了EUV就立刻轉EUV單次做!
但做出來其實也不意外(就是拆ASML的浸潤式再照樣子copy)，但穩定度勢必不行,故也不可能真敢拿去做5-7nm(估良率很可能掛蛋)!
中芯用的是四重曝光,應該不只是三重曝光
四重曝光是Self-Aligned-Quad-Patterning (SAQP)
而三重曝光是LELELE(LE3)
兩種是不同的東西
SAQP適合做成長條型pattern
LE製程,不管是LE2或LE3適合做Contact/Via
所以中芯四重與三重曝光都會用到
至於成效如何?到底良率有多差成本有多高,看中芯SMIC財報就知道了,慘兮兮...
如果中芯乖乖地做28nm製程,財報不會這麼差
也就是配合政策硬做7nm製程,加上政府補貼後財報還這麼慘,表示沒有政府補貼更慘...
至於新聞的中國與台積電的差距三年
這絕對是外行人寫的
我看了新聞
原意是晶片效能的評估
7nm效能本來就有一定的水準,良率差不是重點,因為壞的都出不了廠,只有少數的良品能出廠
重點在於7nm的"設計"
以前華為/海思利用台積電製程製作的晶片效能本來就不差
因為問題出在製程!!!
設計不是太大問題,會有差但不會差太大
重點是做不做得出來,有良率才能有商業價值
光就設計
海思以前的設計就不差,還可以與聯發科PK
現在中美脫鉤
爽的是聯發科
三年的差距...
以前海思用台積電製程
當年同代台積電製程可是與聯發科打的有來有回
根本沒有三年這麼大....
反而被外行人解讀為製程差三年...
小粉紅不念書
不然還可以作文
我們海思的晶片當年屌打聯發科
不輸台美日
甚麼三年
簡直是超美趕日踢台
藍星最強...
這樣大外宣與大內宣
氣場才會強...
對喔! Gate要用到SAQP-更糟! 理論上海思設計應仍很強,但Arm新授權不給,像Apple那樣自己來? 要花不少時間! 製程差異不只三年,EUV建線進機,Pilot,Qual,MP&GAA?
