


噗 .........傻鳥哪懂順差的錢跑去哪了
美國對外關係委員會(CFR)、中國外匯管理局(SAFE)以及高盛等機構 2026 年中的最新資本流向拆解報告,中國這筆龐大的「順差銀彈」並沒有進到國庫,而是透過四大管道流向了全球市場與海外
2026年中國的整體政策「放水」(經濟刺激)總規模呈現「財政大舉發力、貨幣精準定向」的格局,廣義財政與中央投資的放水總規模預計超過 15 兆元人民幣。
台灣在 2026 年並未採取類似中國的「放水(量化寬鬆)」政策,相反地,台灣央行在 2026 年維持的是「緊縮與打炒房」的防禦性基調,實質上是在「收水」而非放水。
雖然台灣沒有廣義的貨幣放水,但如果將目光轉向政府財政的常態性公共支出(特別預算與基礎建設投資),台灣在 2026 年度的資金投放規模約在 數千億元新台幣 級別。
15兆人民幣 VS 數千億元新台幣
差距..............有這麼誇張嗎?
連人家一個省..........零頭都不到
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文章編號:93337002
大力士7777 wrote:
1. TSMC 有公告 A19 的製造流程? 8 Elite 怎麼作的? X3D 的怎麼作的? nanosheet 怎麼作的?
你是不是有認知障礙?
拿台積跟華為比較?
台積經歷全世界各大IC設計公司的認證,所有人都想搶他的訂單,所以它需要公告嗎?
就算它不公布,看毛利跟新聞公開當誒報價也能窺得良率!
至於你家支那華為呢?
喇叭吹的震天響,結果嘞?
支那華為5奈米在哪?
支那EUV在哪?
你們這票粉紅整天吹喇叭,結果嘞?
連哪家廠做的都不知道,反正你們只負責吹牛對吧?
2.你問的功耗, 寄生電容, 最後產出的晶片能耗都在表格裏了..
來,這些都是支那華為公布的,對吧?
有經過第三方機構驗證嗎?
沒有就少吹喇叭!
3台積電的5奈米線寬作出來沒有? 還是叫"等效5奈米"?要看華為有沒有"等效5奈米"製程, 去看極客灣的Kirin 9030,pro測試不就知道能不能跟等效4nm 8Gen2.3,,類似
笑死,要對標台積的是你們這群粉紅、吹喇叭的也是你們這群粉紅,最後有做到嗎?
等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效等效.....
就是做不到才吹“等效”!
支那華為的Kirin 9030,pro已經被證實就是7奈米的N+3,你是還要吹什麼“等效”的喇叭?
4. 至於誰測的, 那就更好笑了, 網路上說8 elite gen 6能效比現在Soc, 功耗降低 36%,同等功耗下性能提升18%。都還沒上巿, 誰拿得到樣品來測? 現在當然是自己測啊. 開發產品不用內測喔? 不用驗證,啊?
笑死,拿支那華為跟高通比?
你要不要先告訴大家支那華為的5奈米上哪去了? 支那EUV又上哪去了?
你是不知道支那人的誠信都在垃圾桶嗎?
你這麼挺華為,是出自專業判斷還是信仰?
5. 流片不等於量產, 這句話沒錯, 但是華為就是拿Tape out後的晶片做矽驗證. 9 月都要上巿了, 現在如果不是已經量產了, 來得及後面的手機組裝嗎? 晶片又不是做出來就能用. 配套的主板, 鏡頭, 電池, 等一堆周邊也要配套齊全, 要不然怎麼上巿?
笑死,支那華為有沒有delay旗艦機發布會的案例? 有!
支那華為有沒有等年度旗艦機用去年SoC的案例? 有!
所以你問怎麼上市?
支那華為的三折漏湯機被噴爆都敢上市了,請問這家公司有甚麼不敢的嗎?
我只同意你一句話
“9月上市就知道了”
所以現在聽你吹喇叭還不如直接等9月見真章!
支那殲二十 wrote:
手機是消費品, 自己喜歡用得趁手就行, 沒必要看網紅評測。
但是瑞凡,支那人是最愛拍開箱跟測評的國家,就是因為支那貨品質參差不齊,有好貨但更多是假貨垃圾!
你這話術掩蓋不了支那華為專出天價舊舊舊舊舊旗艦機的事實!
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文章編號:93337667
ayretimr wrote:
華為能在業界擁有目前地位靠的就是說到做到.先進製程不斷縮小電晶體體積終究會觸碰物理限制,屆時還得從半導體材料或設計另闢蹊徑.
好個說到做到~
余承東:Mate70系列芯片已實現100%國產
連支那自己的南華早報都吐槽~
《南華早報》報導,根據TechInsights的分析,華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND,高階款Mate 70 Pro Plus也採用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。
麻煩幫你同事解釋一下
1.支那華為的5奈米上哪了?
2.支那EUV上哪了?

你這貨還要繼續吹“等效”的喇叭????
拆解報告的結論都給你了,你就繼續“等效等效等效”吧!
所以我說過,技術本身沒有錯,錯的是拿技術出來吹牛的支那人~
Conclusion
The Kirin 9030 is manufactured using SMIC’s N+3 process, a scaled extension of its previous 7nm (N+2) node. However, in absolute terms, N+3 remains substantially less scaled than industry 5nm processes from TSMC and Samsung. While SMIC has executed notable innovations in DUV-based patterning and DTCO techniques, the process is expected to face significant yield challenges, particularly due to aggressively scaled metal pitch using DUV multi-patterning.
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文章編號:93337812

其實我很希望等年底 Kirin 2026手機上市, 極客灣可以第一時間類似Kirin 9030這樣測試.......
因為我覺得Kirin 9030 Pro已經號稱用中芯N+3製程了, 換句話說已經在平面層上把台積電在 DUV 推到N7的製程, 中芯硬做到N5(or N4)水準了, 無論良率與成本, 反正整片wafer有good die就是了
無論三重曝光/四重曝光.....DUV光源限制就那樣, 尺寸很難再微縮了, 因此可以把Kirin 2026看成是Kirin 9030 的 Logic Folding版本, 也可以驗證華為那篇論文對於效能提升的方式, 個人認為效能一定會有提升, 但是是不是可以達到台積電 N3水準, 我比較懷疑......因為晶體管單位面積下變多, 但是製程約等N5就在那, 發熱問題無法忽視
再者.......也想看看現在手機Logic Die是單層, 因此DRAM是直接疊在Logic上面.......Kirin 2026這種 Logic已經是兩層的情況下, DRAM還是在上面變成三層嗎?這樣散熱效能如何?
至於 Kirin 2027, 2028, 2029.............個人認為中芯N+3應該是極限了, 後面的2027~2029就是把製程微調好把頻率拉上去而已,整個 Die單位面積電晶體應該不會增加太多了
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