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stock6688 wrote:
目前美國封鎖
1.nvdia+amd 的AI算力晶片
2.封鎖所有HBM晶片
最容易=Sk占90%
沒有HBM,AI大模型資料
無法傳送
算力無法發揮
你真是一個睜眼說瞎話的大外行..完全不懂ai ..整天在胡扯...
deep seek 就是用很少的算力製作出的模型...
R1就是2048片的H800即完成訓練...導致其他用算力堆積模型的美國AI公司大崩潰...NV股票一夜崩盤...
你是完全不懂AI沒概念才會如此胡說八道....
長江儲存集團下的武漢新芯公司於今年三月發布了《高頻寬儲存芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目,表示將利用三維整合多晶圓堆疊技術,打造更高容量、更大頻寬、更小功耗和更高生產效率的國產高頻寬記憶體(HBM)產品。
此外,長電科技、芯碁微裝、通富微電等封裝廠商均在佈局支援HBM生產的相關技術。
以前不是說長江儲存的DDR5是抄襲的然後有問題??
結果...
今年1月,全球半導體分析機構TechInsights透過產品逆向分解等的方式,對中國企業的最新記憶體晶片進行技術分析,得出了一個結論:中國長江儲存和長鑫儲存掌握了與三星電子、SK海力士類似的NAND堆疊技術。
最近,長江儲存推出了270級NAND新產品的消息傳開後,被韓國媒體評價認為「中國在晶片領域的追擊已兵臨城下」。而長鑫儲存則利用16奈米製程量產了DDR5 16Gb DRAM。儘管三星電子和SK海力士目前主導了12/14nm DDR5市場,但TechInsights評價,長鑫儲存的16nm DDR5新產品的效能比SK海力士的12nm產品好。
這可不是中國吹牛了吧...你少出來鬼扯胡說八道了...
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