http://dc.watch.impress.co.jp/cda/review/2007/08/24/6904.html
等不及的可以先去check看看~~
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udo07 wrote:
是因為用的是同一款的...(恕刪)
40D用的與400D應該不是同一塊的COMS...
http://www.photo-cafe.jp/scoop/archives/2007/08/eos_40d_02.html
APS-Cサイズ・1,010万画素のCMOSイメージセンサーを採用
EOS I.C.S.はEOS-1D Mark IIIと同様タイプに
次に撮影機能面ではまず、APS-CサイズのCMOSイメージセンサーがEOS 20D/30Dで2世代続いた820万画素から1,010万画素へとパワーアップされたことがあげられる。今回採用されたイメージセンサーは、画素数的にはEOS Kiss Digital Xで採用されたイメージセンサーと同様であるが、Kiss Digital Xでは2ch読み出しであったのに対し4ch読み出し方式を採用、読み出しの高速化を可能にした。またオンチップマイクロレンズの集光率の改善などで画素ピッチが5.7μm（30Dでは6.4μm）と小さくなりながらもEOS 30D同等の高感度特性を確保している。ISO感度設定はISO100～1600と拡張設定によってHポジションでISO3200の撮影が可能な部分は前モデルと変わりない。一部1,200万画素やAPS-Hサイズのイメージセンサーを予想する向きもあったが、画素数と画質のバランスやセンサーサイズの継承性を考えればごく順当な選択であったといえるだろう。ただ、同じ画素数のイメージセンサーを搭載したEOS Kiss Digital Xが既に1年前にリリースされていることを考えると、読み出しチャンネルが増えたとはいえ実質的にはこの1年の間で大きな進化が見られなかったのは少々残念ではある。
イメージセンサー周辺技術としてはEOS Kiss Digital X以降の機種で採用されている総合的なイメージセンサーダスト対策であるEOS I.C.S.が本機にも搭載されている。メカニズムは、EOS-1D Mark III のものとほぼ同タイプのセルフクリーニングセンサーユニットが採用されており、Kiss Digital X以上のゴミ取り効果が期待できそうだ
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