99.12.20分析各DRAM廠所開出產能,預估2010年全球DRAM位元供給量將達20.4億Gb,較去年(2009)的13.6億Gb成長49.4%,2011年在先進製程的升級,以及產能擴增的擴充下,2011年全球DRAM位元供給量將進一步上看32.3億Gb,年增達58.8%。
其中,包括美光、南科 (2408) 、華亞科 (3474) 、瑞晶 (4932) 、爾必達等DRAM大廠,45/40奈米製程產能將於2011年大量開出,且先進製程佔營收比重將會逐季提高。這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落,轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期,這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。
產能增加58.8%
明年記憶體廠商慘了
小惡魔市集
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