NAND Flash新技術x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)陸續問世,東芝(Toshiba)和新帝 (SanDisk)陣營技術最領先,已開始導入高容量快閃記憶卡應用,美光(Micron)x3技術NAND Flash晶片緊跟在後,即將步入生產,目前三星電子(Samsung Electronics)x3技術明顯落後,仍無法進入大量生產,還在後面辛苦追趕。然值得注意的是,隨著NAND Flash製程微縮,晶片可讀寫次數及效能將明顯下降,且不適用在固態硬碟(SSD),引發部分記憶體業者質疑NAND Flash新技術競賽恐已跑過頭。
記憶體業者表示,目前NAND Flash大廠尤其是新帝與東芝陣營,對於x3和x4技術發展相當積極,並居於領先地位,新帝日前率先宣布高容量快閃記憶卡新品開始採用x4技術NAND Flash晶片。不過,現階段面臨技術瓶頸最大的部分,其實是控制晶片業者,因為所有NAND Flash晶片缺陷和障礙,都需要透過控制晶片彌補,因此,相較於目前NAND Flash大廠一頭熱投入x3和x4技術,控制晶片業者態度相對冷淡。
隨著新帝宣布採用x4技術NAND Flash應用產品問世,目前尚未成為NAND Flash主流的x3和x4技術,究竟是否適合導入終端產品問題,再度引發業界質疑。記憶體業者指出,目前確定x3和x4技術只適用在低速快閃記憶卡和隨身碟,但不適用於高階產品,當然更不適用在SSD。
事實上,根據廠商針對NAND Flash晶片效能實際測試結果顯示,採用90奈米製程NAND Flash晶片,讀寫次數約10萬次之多,但製程推進至30奈米x2(2-bit-per-cell)技術後,讀寫次數降至約3,000次,到了x3技術世代之後,效能狀況就更糟糕,不僅讀寫速度變慢,讀寫次數甚至降至僅達數百次水準。
記憶體業者表示,不論是x3或x4技術,目的都是將 NAND Flash晶片容量大幅提升,以增加產品附加價值,然產品效能卻下滑,加上SSD產品不能採用x3或x4技術,因此,是否能夠被市場接受,仍是一大問題,未來MLC/SLC既有技術將與x3或x4新技術在應用領域明顯區隔,前者可應用在高速記憶卡或SSD產品,後者技術則用在低速產品上。
記憶體業者對於x3或x4技術效能及產品穩定性仍存疑慮,導入新世代技術記憶體產品容量雖變大,但讀寫速度變慢,產品壽命亦變短,這些問題目前都難以克服,加上新帝在x3應用產品都還未真正大量生產前,卻已搶著要推出x4技術產品,讓業者質疑NAND Flash技術競賽是否已跑過頭。
記憶體業者認為,NAND Flash晶片未來應要能導入SSD市場,然2008年底低價電腦推出內建MLC架構SSD產品時,卻出現因品質不穩定狀況,當時控制晶片業者一肩扛下責任,但從此讓PC業者對於SSD應用望而卻步,採用SSD的低價電腦自此沈寂許久,如今x3和x4技術陸續問世,效能更是持續下降,對於促進SSD產業發展並沒有幫助,只能主打低價產品市場。
儘管業界對於x3技術應用持保留態度,但三星、東芝、美光等NAND Flash大廠仍將此視為重要技術競賽。
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