這篇是偏技術文章..
先來解釋平均抹寫的功能..
相信知道SSD都知道這名詞..
主要功能是提升SSD壽命..
如果MLC寫入次數約5000次..
那寫完就不能用了..
可我們寫入又不一定在同一點..
因此平均分散寫入就能增加晶片壽命..
比如以64GB..8顆8GB..IC..MLC來說..
如果都寫第一顆..
8G*5000等於40TB..單位Byte..
等於使用40TB這顆就掛了..
這是沒使用平均抹寫技術最少的寫入容量計算..
如果有加入該技術..
就能平均使用個晶片的寫入次數..
因此能達到..
8GB*8顆IC*5000次寫入等於..320TB..
前後差8倍..
以一天寫入1T來看..
後者可用將近一年..
不要那麼理論值..
攔腰砍也都還能使用半年..
不要太驚訝..
這是用一天寫入1T來算的..
如果一天寫入500MB..
那又增加一倍的使用時間..
也就是SSD的使用壽命是由你寫入的容量來算的..
寫得少..
用的就久..
要測這很簡單..
拿顆小SSD..
連續寫入整顆..
跟連續寫入容量的一半..
看寫入幾次速度變慢就知道了..
因此我才會提說..
寫入容量跟使用壽命有關..
以上是成立的話..
那34nm跟25nm有必要擔心壽命問題嗎..
來用算的好了..
先抱歉一下..
我網路找到的資料沒很確切的說25nm技術所產生的優點..
目前只知道約可增加一倍的容量..
晶片又小..
因此SSD可放的晶片也會增多..當然成本會增加..
我暫且不加入太多因素..
單單用增加一倍容量來算..
現在這已經有人說25nm的寫入壽命約3000次..
我們來算..
8顆IC*一倍容量16GB*3000次寫入..
約可寫入384T..
居然還比34nm還增加64T的寫入容量..
相對也能增加使用時間..
各位..
還需要擔心25nm的使用壽命嗎..
如果各位要提說..
34nm的64G SSD跟25nm的64G比才對吧..
那我就真無言了..
這當然壽命會小於34nm..
因為容量相同寫入次數減少..
當然壽命會少啊..
可各位沒注意..
64G SSD要用34nm..8顆..8GB..IC
25nm很有可能只用..4顆..
因此會更便宜..
發展25nm相信廠商不會拿來做64GB的SSD..
所以我的結論是..
未來大容量SSD..
使用壽命將會更為長久..
這理論來自於寫入總容量公式..
SSD容量*晶片寫入次數=寫入總容量..
寫入總容量/每天平均寫入容量=最佳使用期限..
對了..
我沒將一些什麼4K的複雜因素算進去..
怕太複雜..
不過我自己覺得理論應該都相通..
只是最佳使用時間不同而已..
最後提醒..
32G的SSD..
不管技術再好..
全寫滿..
也頂多寫5000次..
因為所有晶片都占滿..
任何增加壽命的技術都沒用..
所以別用小SSD..
安裝太多東西..
不然只是讓他壞的快..
再來..
目前MLC技術寫到5000次不會讓你壞..
而會使他寫入變慢..
所以別以為這樣就可以換..
因為晶片已經克服了..
硬操SSD只是給自己麻煩..
所以仿間才有減少寫入SSD來增加效能的說法..
自己可以稍微算一下..
500G的SSD能用多久..
1T的SSD能用多久..
這相信未來都看得到..
以上..
有錯指教..
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Anand 曾經計算過 256GB款式
如果一天寫入9GB左右
34nm的5000寫入次數來算
寫入次數壽命大約180,000天
25nm的3000寫入次數來算
寫入次數壽命大約108,000天
MLC本身的壽命大約10年
大部分的普通使用者
應該都不會使用一顆SSD到10年吧
即使到10年也很夠本了
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我的Intel 510 120GB
目前只是當系統碟 還有我常玩的遊戲裝在上面
要存的檔案跟影片 都儲存在Hitach 7K3000 1.5TB
Intel 510 120GB 目前14天已經寫入292GB
按照目前的平均值和Anand的算法
寫入次數壽命104年 (哈哈)
而且以後的使用率應該會比剛裝機的那一兩天還要低
看來還是以MLC本身的壽命10年做標準好了
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量產品的話... 不堪入目.... (大概要打 3 折)
寫入壽命方面, 可不是 容量 * 抹除次數這麼簡單而已...
Wear Leveling 的問題為什麼會被一直提到, 就是因為它會影響到每次 Host 寫入的資料量, 造就真正寫入 NAND Flash 資料量的結果...
TRIM 只是讓 Garbage Collection 的效果好一點, 避免掉一些不必要的資料搬家拷貝動作...
但一般消費等級的 SSD, 資料太滿的時候, 其實壽命會損耗的相當快...
寫入速度也是三級降...
(這也是一般要特別強調要注意的地方)
如果寫入壽命真的那麼高的話, 企業級應用的 SSD, 也不需要內藏至少比宣稱容量多 25% ~ 100% 的 Flash 容量...
因為那種環境的應用, 是比一般環境的寫入, 嚴苛許多...
可以寫入的 block 消耗速度, 不管 SSD 用了怎樣的演算法, 都是追不上回收速度的...
所以最後都是本錢砸下去, 內藏容量多很多的 Flash, 來降低這種問題...
另外 25 nm MLC 顆粒的 page size 是 8KB, 跟 3x nm 以上的 4KB 不一樣...
要是應用環境有大量的 4KB Host IO 寫入, FW 的做法不夠有彈性 + 沒有 Page-level Write-Cache 的話, 那也是會蠻慘的...
這也是為什麼 G3 要導入超級電容, 做 Write-Cache 的原因之一吧...
沒有超級電容的設計, SSD firmware 又報出去有 Write Cache 能力的狀況, 這其實蠻危險的...
不小心跳電的話, 整個 SSD 上面資料救不會來的機率是很高的...
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真是一堆專業的人..
以上很感謝各位給的資料..
確實..
以上我無可反駁..
可我主要要強調一點..
那就是..
發展25nm相信為了就是增加容量..
降低成本..
不然就沒必要發展..
就像以前硬碟單碟75G..
現在單碟可以達到500G..
儘管500G壞軌率相對提升..
因為磁頭降低風險提高..
我主要想說..
當25nm推出後..
我個人評估應該會推百G以上的容量..
這樣跟34nm當初推出的時候來推..
壽命並不會差太多..
因為容量增加..
我個人一個創見30G..
當初買3千..
現在3千可以買64G..
那我可以假設一個問題..
同樣三千來算..
我當初買是34nm..
現在買是25nm..
這樣來看..
壽命並不會降低..
因為同樣價格可買的容量增加一倍..
除非..
有人想認為25nm推出..
用意不是要提高容量..
相信沒人這樣認為吧..
因此我才提出這樣的認知..
不用擔心25nm..
只要買大容量就沒多大問題..
除非是相當操SSD..
比如養電子驢..呵呵..
我文章中還有另外一點沒提..
BLOCK..4K跟8K問題..
我本來不想提那麼深入..
即然有人提了..
我來說一下..
這概念我個人覺得應該是來自於FAT或者硬碟LBA對應磁區的概念..
如果我們要計數晶片的使用次數..
是不是每個記憶BYTE都配一個計數器..
那根本是增加晶片電路..
一個BYTE給一個計數器..
32G就要32*1024*1024*1024..個計數器..
如果以4K為一個BLOCK..
那計數器就只要..
(32*1024*1024*1024)/4096..8388608個計數單位..
再以計數5000為主..給兩個Byte..16位元..可計數到65536..
所需空間跟之前的對照..
沒Block要..
32*1024*1024*1024*2Byte..64GB的計數空間..
居然比32G還多..
可有Block..
就不用那麼多..
要在除以4K..
16MB而已..
大大節省空間..
那為何要用8K Block..
個人覺得應該是為了大容量做準備..
以512G算..
4K計數空間..512G*2Byte/4K..256MB
8K的話..512GB*2BYte/8K..128MB..
計數資料減半了..
不僅可以節省成本..
又可增加運算速度..
當然如果你寫1Byte也需要用到 1 Block..
這也是為何小寫入測試會慢成這樣的原因..
以上是我個人對SSD內部的猜測..
如果SSD內部沒計數紀錄的資料..
我實在想不到他怎麼記錄哪些區域已經過度使用了..
抱歉..
說複雜了..
呵呵..
以上是我對控制晶片運作原理猜的..
只是要想要調到控制晶片的運作原理..
說真的..
很難..
如果有大大願意分享..
我倒是很想看..
畢竟控制原理還真的是影響SSD壽命跟效能最主要的原件..
一樣..
有錯指教..
感謝各位..
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