GaN
產品特色：1.首款採用新型半導體材料GaN氮化鎵的65W多協議快速充電器2.體積小，2USB-C+1USB-A輸出埠，支援QC4+、PD3.0、PPS、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC、PE+等快...
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美國下代神盾sp-6將採用日本GaN技術,美國有GaN技術但是性能差日本很遠,反而失去了反導能力,所以要引進日本技術實際上之前就開始合作了,現在應該是美國確定技術不如日本只好採用日本技術============...
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近日，富士通宣布世界上第一次在室溫下結合單晶金剛石和碳化矽基板，用該技術可高效冷卻GaN-HEMT功率放大器（200W GaN-HEMT熱阻降低到常規工藝的61%，工作溫度降低80攝氏度左右），可使雷達的觀測範...
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