請養成良好的使用習慣,延長內建記憶體壽命

SLC 製程發展的較早,良率不會比較差喔。他的成本高是因為一個記憶單元只存1 bit的資料,而MLC是一個記憶單元儲存2 bit的資料,靠著較有效率的儲存方式降低成本。

參考這裡

vic_wang wrote:
小弟於前幾年工作中發現,Flash可以粗分為SLC(Single-Level-Cell)和MLC(Multi-Level Cell)這2種製程,



SLC良率低,所以成本較高,但是存取次數卻是MLC的10倍!,...(恕刪)
NAND壞掉應該是壞在寫入,讀取幾乎是不會壞。
所以就算壞掉是一個block一個block壞。
壞一個mark一個而已。
加上interleaving....我想不至於那麼不耐用。

vic_wang wrote:
Embedded system會對不斷的Flash進行存取(恕刪)


Flash 通常做為Boot up 時的buffer

而Embedded system 的F/W通常是polling 的方式

S/W那邊沒弄好就是一直對Flash 存取....然後....就掛了

題外話..我有看過用NOR Flash 的Embedded system(對存取速度要求較高)

一樣沒弄好大概開機後2~3天就掛了.......

oversky0 wrote:
開板的顧慮是對的。我的 palm TX 前幾天就是這樣掛掉的。
壞掉的地方剛好是開機區,結果就是啟動不能。...(恕刪)

是啊...但是...palm TX已經是幾年前的產品了???

以手機來說,個人認為這想法不是不好,而是有點杞人憂天,矯枉過正.
畢竟這是隨身的手機,在這支手機還在您身邊的時候,您應該都遇不到這樣的情況.
就因為它是手機,所以在您想換掉它,或是意外摔壞它,甚至於泡水受潮之前....應該都遇不到....
還在想CP值嗎?世界上沒有所謂物超所值的產品,但高價卻也不一定就能買得到好產品.
原廠附的不夠用~買8G~16G才夠

一段時間(月)一次大量存取與短時間(每周)小量批次存取

哪種方式影響記憶體壽命較快掛??

vic_wang wrote:
近期小弟入手了N8,...(恕刪)


這樣阿~~感謝分享啊!
小弟受教
感謝版大細心講解

總該有15字了吧....
樓主~~雖然你是好意提醒,不過我真的忍不住懷疑你是真懂還是裝懂?關於你的論點,我覺得你真的是想太多了~~
vic_wang wrote:
不確定,但是因為小弟測試了網路型Embedded system好幾年,執行某些功能時...

Embedded system會對不斷的Flash進行存取,更不要說固定每天傳送不同的影音檔和進行刪除.

早期用MLC製程Flash的產品,1~2年之內掛掉不少個,大多是Flash存取異常...

所以才會建議高度使用內建記憶體的使用者,盡量用非內建的記憶體,延長系統的壽命...


簡單的講 FLASH ACCESS 有兩種 1.有wear leveling 2. 無wear leveling. 在有 wear leveling 之下它的壽命有 317 年 (SANDISK 白皮書), 各家的演算法不同壽命也同, 但也大大於您手機的壽命.

比較麻煩是 2 無wear leveling 然後又拼命對某 BLOCK/PAGE WRITE, 那寫這隻 FLASH DRIVER 的人要打屁股了. 但這種可能極低. 因為用這種方式我們通常只會寫來當CONFIG 用, 不會拿來當 storage!


eaea wrote:
Flash 通常做為Boot up 時的buffer

而Embedded system 的F/W通常是polling 的方式

S/W那邊沒弄好就是一直對Flash 存取....然後....就掛了

題外話..我有看過用NOR Flash 的Embedded system(對存取速度要求較高)

一樣沒弄好大概開機後2~3天就掛了.......


FLASH 是 SYSTEM 構架中是被當做被動元件, 不需要POLLING機制去詢問它(FLASH)有沒有資料要處, 即使你去問它, 它也不會回你.

會用 NOR 的人大部份是需要 XIP.
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