理論上,在相同製程下晶片內部電子元件密度越高,需要的散熱越強。所以假設相同製程、相同畫素密度下,135片幅跟APS-C發熱率應該會相等的情況下,135片幅的散熱面積比較大,可以承受的發熱程度(拉高iso)可以比較高。
h7878220 wrote:理論上,在相同製程下...(恕刪)所以假設相同製程、相同畫素下,135片幅跟APS-C發熱應該會相等的情況...(恕刪) 問題就是相同製程,不同片幅的畫素肯定不同同製程,同樣像素面積,不同片幅像素肯定是不一樣的
Horology wrote:即使是DX模式應還是會用整片sensor來感光,如果是這樣就沒意義了 我認為:DX 模式時,需處理的範圍比較小,總熱量應該也會比較小看看 D7100 的連拍速度規格說明就是了:最高畫素時 6fps,使用 1.3x DX 裁切模式可至 7fps處理量少故連拍速度加快。
我認為片幅大小對雜訊的影響比較小(還是會有影響)在相同製程的條件下,像素密度才是影響雜訊的最主要原因M4/3的1600萬畫素像素密度約為APS-C的2400萬畫素與135片幅的5400萬畫素而市面上的M4/3相機幾乎都是1600萬畫素APS-C相機大都小於2400萬畫素135片幅相機最高只有3600萬畫素更別說要到5400萬畫素所以市面上對相機的可用ISO高低自然是135片幅大於APS-C大於M4/3
馬克蘇 wrote:一樣的製程及像素密度,大片幅成本相對高出很多(很多很多阿),加上CMOS通電擷取影像是要耗電、發熱的,因此真的有一樣密度的大片幅感測器,相對會比小片幅的熱量更集中、更高,因此理論上,雜訊會更不容易抑制,高ISO雜訊應該會更高才是 CMOS 通電對畫質的影響應該是很小吧, 否則 A7R 的畫質怎麼嚇嚇叫勒, 也沒聽說 DSLR 用 LV 拍的畫質會明顯低於用 OVF 拍. 耗電大很多是真的.要說片幅大的發熱大, 那散熱不也大了. 如果說同製程又像素密度相同的發熱率就一樣, 那散熱率更應該一樣, 因為散熱和面積成正比, 也就是片幅大不會比較熱, 也不會比較不熱.
路人甲㊣ wrote:CMOS 通電對畫質...(恕刪) 實際上,沒人做過,也沒人有錢做實驗吧我也認為在那樣的情況下,感測器本身熱度應該差不多但是大片幅相對需要更多電力,相對需要更多傳輸量,需要更大的處理能量這些,都是會「更耗電」的變數,很多阿