CCD&CMOS???

CCD 或 CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。
這種轉換的原理與各位手上具備『太陽電能』電子計算機的『太陽能電池』效應相近光線越強、電力越強；
反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數位資訊。
CCD每曝光一次，在快門關閉後進行畫素轉移處理，將每一行中每一個畫素（pixel）的電荷信號依序傳入『緩衝器』中，
由底端的線路導引輸出至 CCD 旁的放大器進行放大，再串聯 ADC 輸出；相對地，CMOS 的設計中每個畫素旁就直接連著 ADC
（放大兼類比數位信號轉換器），訊號直接放大並轉換成數位資料。
由於構造上的基本差異，我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在於充分保持信號在傳輸時不失真
（專屬通道設計），透過每一個畫素集合至單一放大器上再做統一處理，可以保持資料的完整性；CMOS的制程較簡單
，沒有專屬通道的設計，因此必須先行放大再整合各個畫素的資料。

整體來說，CCD 與 CMOS 兩種設計的應用，反應在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、製造成本、解析度、雜訊與耗電量等
，不同類型的差異：

ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外設備壓縮單一畫素的感光區域的表面積，
因此在相同畫素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。

耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；
但CCD卻為被動式，必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，
因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使 CCD 的電量遠高於CMOS。

解析度差異：在第一點『感光度差異』中，由於 CMOS 每個畫素的結構比 CCD 複雜，其感光開口不及CCD大，
相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，
目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬畫素 / 全片幅的設計，CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸
感光原件製造上的困難，特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
　

小惡魔新聞台

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