SED全名是Surface-conduction Electron-emitter Display
Canon與Toshiba合作開發的新型顯示器。他的工作原理與CRT一樣都是用電子束打在螢光體上來產生色彩與圖形。比較特別的是其電子產生的方式是利用有很細的狹縫(只有數奈米寬)的導電薄膜,當施與此薄膜電壓時,會因穿隧效應而使狹縫發射出電子。再利用電場讓發射出來的電子去轟擊螢光體。此種顯示器的耗能是CRT的1/2,PDP的1/3。以40吋的顯示大小可以將顯示器厚度縮到10公分。此外因為螢光體是用CRT的,所以壽命以及色彩的表現都會比現有的CRT,LCD,PDP好。除了狹縫的製作外,大部分的製程又跟現在的CRT或LCD差不多。所以Toshiba說量產時價格不會超過目前PDP的售價。預計2005或2006年正式推出販賣,到2010年要出貨300萬台。估計到時40吋SED的售價是2-3萬日幣。
相關網站如下:
http://www.canon.com/technology/detail/device/sed_display/index.html
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這跟"FED"顯示器有啥不同阿???看起來好像原理跟架構都一樣的阿...換湯不換藥
有人可以解釋一下到底有啥不同阿?
這個東西離上市還早,

實際量產品如何也不知道,
市場能不能接,....
兩者最大的差異在發射電子的方式。FED的發射電子源現在有兩種,一種是nano carbon tube不過要製作高度與結構均一的nano carbon tube現在有很大的問題。另一種是以蒸鍍的方法製作電極。可是電極的形狀很特殊而且要每一個都很均一。對於蒸鍍的製程控制需很嚴苛。這也是FED到現在都是只見小尺寸的實驗品的緣故。而SED則是利用半導體製程來製作狹縫。所以相較FED而言技術是較成熟的。
FED 包含很多種類型
例如 SED & CNT-FED & BSD & Diamond型 很多種
都是場發射型的顯示器
只是在於其 發射電子的原理 不同

SED 就是用表傳導電子穿遂效應再利用電場導引致螢光材
CNT 奈米碳管高電壓放出電子嚕
BSD 從奈米結晶矽中發射出電子...導彈電子發射顯示器


PS- SED應不屬於半導體製程 ~"~
BSD比較像
因為SED的電子放出素子膜相距只有數nm, 要製作如此窄的間距,我認為只有半導體製程技術較可能所以我才寫"而SED則是利用半導體製程來製作狹縫", 不過Canon已說要用inkjet技術了,在此更正一下。
http://financenews.sina.com/sinacn/304-000-106-109/2008-12-03/0020969596.html
2008-12-03
http://homea.people.com.cn/BIG5/8458274.html
2008年12月04日
naturoj wrote:
http://fin...(恕刪)


SED,等好久了…不知道今年能不能看到它上市?

新家才正在考慮 42吋的液晶或是電漿呢。

也許該等看看過幾天的 CES 裡會不會有新的消息。
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