0分

樓主

個人積分：0分

文章編號：36759314

[已解決]N56VZ跑3D遊戲時會崩潰。

機型：ASUS N56VZ
顯卡：Nvidia GT 650M

有影片但沒真相

當我玩3D遊戲時，電腦有一定機率會崩潰，然後花屏。
已測試記憶體一整天，未發生任何錯誤。
根據華線上碩服務人員及網友們的判斷，很有可能是記憶體不相容/衝突造成的，
（雖然我實在沒辦法理解為什麼只在玩3D遊戲才會發生的問題會跟記憶體有關就是了）滾來滾去

總之，目前訂了G.Skill的F3-1600C11D-16GSQ，到時候測試完再來報告。

最新進度：換了1600的記憶體總計三次，問題解決。確認是記憶體的問題。

2012-06-25 14:36 #1

文章關鍵字

N56VZ跑3D 遊戲

Anthony Joe

312分

2樓

Anthony Joe

個人積分：312分

文章編號：36761285

破圖有可能是RAM或VRAM造成
你用memtest去跑，只會RAM測試好壞，無法測試相容性問題，你還是先換回原廠的RAM吧！

MBGarage

417分

3樓

MBGarage

個人積分：417分

文章編號：36761354

你不是兩隻RAM都換成Kingston，Ivy Bridge很挑RAM喔，測試程式都是測功能性，相容性測不出喔

hodxer

0分

樓主

hodxer

個人積分：0分

文章編號：36761478

我沒有用原廠的RAM，两條都換成Kingston的了。

原來記憶體測試測不出相容性問題？
我還笨笨的在那邊跑老半天……

目前沒地方換記憶體測試，這下可頭痛囉。

不管如何，還是謝謝Anthony Joe跟Prince1981的回應。

另外，如果以不相容的理由去跟Kingston要求換記憶體，
Kingston會不會同意？換了之後……有沒有可能改善？

MBGarage

417分

5樓

MBGarage

個人積分：417分

文章編號：36761842

你的Kingston是用哪一家顆粒，比較推薦Micron/Hynix/Samsung

Anthony Joe

312分

6樓

Anthony Joe

個人積分：312分

文章編號：36761913

你把RAM拍個照，我看一下顆粒

hodxer

0分

樓主

hodxer

個人積分：0分

文章編號：36761970

Anthony Joe wrote:
你把RAM拍個照，我...(恕刪)

插在筆電上的樣子：

兩條並排：

第一條：

第二條：

用HWiNFO64抓的資料，不曉得有沒有幫助：
Row: 0 - 4096 MB PC3-10600 DDR3 SDRAM Kingston 9905428-012.A00LF ----------

[General Module Information]
Module Number: 0
Module Size: 4096 MBytes
Memory Type: DDR3 SDRAM
Module Type: SO-DIMM
Memory Speed: 666.7 MHz (PC3-10600)
Module Manufacturer: Kingston
Module Part Number: 9905428-012.A00LF
Module Revision: 0
Module Serial Number: 429003933
Module Manufacturing Date: Year: 2010, Week: 45
Module Manufacturing Location: 4
SDRAM Manufacturer: Unknown
Error Check/Correction: None
[Module characteristics]
Row Address Bits: 15
Column Address Bits: 10
Number Of Banks: 8
Module Density: 2048 Mb
Number Of Ranks: 2
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.500 ns
CAS# Latencies Supported: 6, 7, 8, 9
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 36.000 ns
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-20
Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-15
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 49.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Features]
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
Auto Self Refresh (ASR): Supported
Extended Temperature Refresh Rate: Not Supported
Extended Temperature Range: Supported
Module Temperature Sensor: Not Supported
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm

Row: 2 - 4096 MB PC3-10600 DDR3 SDRAM Kingston 9905428-012.A00LF ----------

[General Module Information]
Module Number: 2
Module Size: 4096 MBytes
Memory Type: DDR3 SDRAM
Module Type: SO-DIMM
Memory Speed: 666.7 MHz (PC3-10600)
Module Manufacturer: Kingston
Module Part Number: 9905428-012.A00LF
Module Revision: 0
Module Serial Number: 1931282341
Module Manufacturing Date: Year: 2010, Week: 44
Module Manufacturing Location: 4
SDRAM Manufacturer: Unknown
Error Check/Correction: None
[Module characteristics]
Row Address Bits: 15
Column Address Bits: 10
Number Of Banks: 8
Module Density: 2048 Mb
Number Of Ranks: 2
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.500 ns
CAS# Latencies Supported: 6, 7, 8, 9
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 36.000 ns
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-20
Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-15
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 49.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Features]
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
Auto Self Refresh (ASR): Supported
Extended Temperature Refresh Rate: Not Supported
Extended Temperature Range: Supported
Module Temperature Sensor: Not Supported
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm

akai0131

0分

8樓

akai0131

個人積分：0分

文章編號：36764243

hodxer wrote:
我沒有用原廠的RAM...(恕刪)

那你就跟他說不穩定,時有時無,印象中記憶體場商換得蠻阿沙力的吧

MBGarage

417分

9樓

MBGarage

個人積分：417分

文章編號：36767344

換個SAMSUNG/Micron顆粒的試試好了

這是INTEL的RAM建議表，可惜市面不易買到，多半是OEM廠商使用的

http://www.intel.com/content/www/us/en/platform-memory/ddr3l-1333-1600-sodimm-chief-river-validation-results.html

https://www.mbgarage.tw/

hodxer

0分

樓主

hodxer

個人積分：0分

文章編號：36768555

Prince1981 wrote:
換個SAMSUNG/...(恕刪)

嗯，目前打算換G.Skill的F3-1600C11D-16GSQ了，到時候再測試看結果如何，謝謝您！

[已解決]N56VZ跑3D遊戲時會崩潰。

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