水太陽 wrote:抱歉,的確是這樣,小...(恕刪) 小弟沒有責怪之意拉!我一開始也以為這HX1搭載Exmor R CMOS, 但是後來失望了。看了Dpreview上HX1的雜訊測試(SX1 IS裡拿HX1當對比),HX1在畫質上沒有什麼驚豔之處,讓小弟失望了。想說第一台用G鏡還有1080p的錄影,這台可以期待一下。
風風的 wrote:哇哩勒////sony為何不把攝影機的高iso抑制雜訊的技術拿到單眼上使用...(恕刪) 這種說法是不對滴高ISO抑制上,DSLR確實比DV還來得好新款的520V雜訊表現會這麼好是因為它採用新款的Exmor R CMOS它的雜訊生成本來就比較少目前DSLR還沒有任何一款採用這一塊感光元件
Monte920 wrote:同意! 就像奇美電子...(恕刪) 這次cmos的技術應用原理,是所有cmos的都能夠用只是sony決定先在小片幅上試行,而由於新cmos 造價昂貴, 套在DC 和手機利潤邊際會很少,所以就決定找高價的DV和HDV先行試產SONY還沒打算做在DSLR市場的原因,是大片幅良率和成本回報率沒保證~ DSLR 市場的毛利率也不算高(別看鏡頭跟機身賣這麼貴,以為他們很高毛利... 成本也不是一般的高,特別是鏡片這種要求誤差不到0.001%的光學製品)不過天知道SONY會不會今年就發佈裝備新CMOS的機種,就看A800了不過SONY 3 CMOS的相對產品也會在今年出台
xos84292 wrote:這次cmos的技術應...(恕刪) 其實這技術也沒啥了不起, 不就是想法子讓導線(or bump)原本從Die 的上方移到下方,以增加進光量,也不只Sony有,OVTI和tsmc 也有類似的BSI CMOS 技術(還更早發表),只是後者著墨於手機市場較多, 相信未來相關的廠家應用應該會愈來愈多, (大家差不多時間推出BSI,是不是專利剛過期了呢?)
Pelikan wrote:從他的製造工程概略図來看...是將配線做好之後,直接把 Si substrate 磨薄結構看起來需要很好的平整度,應該是用 CMP 製程吧但要磨到那麼薄,良率不知道高不高...(恕刪) 的確是CMP反正你也看到圖了, 兩片wafer疊在一起, 再把上面那片磨掉就露出photodiode了不用懷疑, 良率很低可能N年後良率夠高才會發展更大片幅