關於VAIO Z series 4x 所搭載的SSD 壽命預測.

之前打電話給SONY客服,想打聽配置在Z4x系列的SSD到底是什麼規格,
沒想到他們都無法透露,所以我只好自己去調查了,

如果您開啟Intel matrix storage console,便可以找到使用的SSD型號還有容量,
而我的SSD型號為mmdpe56gfdxp-mvb
然後我就google一下,便找到了很詳細的規格說明,
那是在samsung的網站喔~

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/ssd/2008/product/overview.html

所以我的就是::
PM800 Slim uSATA 256GB二顆 MMDPE56GFDXP-MVB

網站裡面還可以下載更詳細的規格文件(.pdf)
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/ssd/2008/down/SSD_Market_Update_1212.pdf
因為我也很擔心SSD 的讀寫壽命....

在Lifetime的地方寫到:: 對於128GB MLC SSD來說,如果每天存取20GB,那可以有66年的壽命.
再加上Intel® ICH9M-E SATA AHCI/RAID controller hub 的RAID 0技術,
保守預測,一台Z VAIO的SSD壽命應該是很夠用了.
目前
大容量的SSD還是以MLC架構為主(不然入手會更是天價)
不過看起來 評測這樣寫的 似乎目前的control ic 已經到達一個成熟的階段
所以可以用某種方式 讓mlc 架構的falsh 壽命延長

不過還是真的很想入手slc架構的ssd來玩看看
這樣看起來 slc在目前成熟的技術下 可能會到終身用不壞 ^^

笔记本上面SSD肯定比HDD长寿啦,因为不怕震。

没必要理会他寿命有多久,因为三年后必定是废铁。

现在MLC的性能已经追上SLC的了,我的Intel X25-E 64G已经没什么优势了。
logetle wrote:
之前打電話給SONY...(恕刪)


這份文件的lifetime寫得好籠統...

我有一顆mtron slc的2.5" ssd

一年前買的,用了一年之後速度已經從實測95MB/S掉到80MB/S了,

平常用它我也有用ramdisk,雖然這速度還是很快,但我很怕在用一年就會明顯感覺慢了,

還好這顆是企業級款,有五年保固,保固內一換一。

至於sony的東東好像都保固18個月,所以就只能自求多福了,SSD我從來不考慮買筆電配好的,


筆電保固通常都是一年或兩年,可是又不可能一兩年真的換一台三五萬的玩意...

補充一下:
http://www.imation.com/PageFiles/83/SSD-Reliability-Lifetime-White-Paper.pdf

最後一個章節是Lifetime Estimation,不過這是建立在controller使用wear-leveling algorithm前提下

所定義的公式,我不是做記憶體相關產業的,所以也不知道目前業界狀況,所以只能等相關人士解答了。
看來我需要定期為我的SSD檢測一下,看有沒有壞軌或是讀寫速度衰退.

我之前查閱過很多關於SSD寫入次數的報導,如果是搭載RAID 0技術,
可以平均寫入每個磁區(sector),避免使得某磁區寫入次數太頻繁所導致的衰退,
而且照這樣的方式來看,容量越大的SSD,應該有更長的存取壽命...

如果一台SSD的磁區都沒問題,那為什麼讀寫速度還是會隨著使用時間而下降呢?
有SSD達人可以解說一下嗎?

至於VAIO的保固期,
如果是在像是日本跟美國購買VAIO筆電的話,保固期只有一年,
但是可以購買延伸的保固到三年,
好像目前在台灣是直接送二年,但不可以再延長了....

但是往往筆電要開始生病 幾乎都是二年之後比較常見吧?!
SSD會變慢是因為...(下列文章來自維基百科)

區塊抹除
快閃記憶體的一種限制在於即使它可以單一位元組的方式讀或寫入,但是抹除一定是一整個區塊。一般來說都是設定某一區中的所有位元為「1」,剛開始區塊內的所有部份都可以寫入,然而當有任何一個位元被設為「0」時,就只能藉由清除整個區塊來回復「1」的狀態。換句話說快閃記憶體(特別是NOR Flash)能提供隨機讀取與寫入操作,卻無法提供任意的隨機覆寫。不過其上的區塊可以寫入與既存的「0」值一樣長的訊息(新值的0位元是舊值的0位元的超集合)。例如:有一小區塊的值已抹除為1111,然後寫入1110的訊息。接下來這個區塊還可以依序寫入1010、0010,最後則是0000。可是實做上少有演算法可以從這種連續寫入相容性得到好處,一般來說還是整塊抹除再重寫。 儘管快閃記憶體的資料結構不能完全以一般的方式做更新,但這允許它以「標記為不可用」的方式刪除訊息。這種技巧在每單元儲存大於1位元資料的MLC裝置中必須稍微做點修改。


所以久而久之,所有的區塊都用過之後,就得去刪除一些部分使用過的內容,可以預見會比較慢(例如,區塊內搬檔,然後才能刪除)
看來...要提高SSD的存取效能

還需要筆電製造商 + 作業系統公司 + RAID晶片 共同來努力了
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