中國記憶體晶片逆襲！長江存儲270層技術震撼業界 南韓三星、日本鎧俠坐立不安

中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。

根據 Counterpoint 數據，長江存儲今年首季在全球 NAND 出貨量中所佔份額首次達到 10%，第三季年增率更成長 4 個百分點至 13%，直逼世界第 4 的美國美光科技。

長江存儲目標是在 2026 年底前獲得 15% 的銷售份額，推動武漢周邊工廠投資，完成後將佔全球供應量 2 成左右，超過日本鎧俠，直逼南韓 SK 海力士。

南韓記憶體晶片廠商雖在 HBM 市場佔優，但原料與設備依賴海外，且缺乏混合鍵結核心專利，面臨專利訴訟風險，而中國相關專利快速成長，三星已跟長江存儲簽署相關專利授權協議。
中國記憶體晶片逆襲！長江存儲270層技術震撼業界 南韓三星、日本鎧俠坐立不安