luzibin wrote:
張先生高齡退休，就算2330倒了...(恕刪)
TSMC絕對不能倒，倒了台灣就完了
TSMC如果真倒了，會是很慘的慘況，因為不只是一家TSMC，還有全部的供應鏈下游廠商也全完了
這個連鎖效應是非常可怕的
如果真的發生，大概就是超市的炭全部被搶光，要跳樓還要排隊等著跳，還要跟大家擠軌道臥軌
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soziohall wrote:
各位 股市投資達人...(恕刪)
https://technews.tw/2017/12/20/is-qualcomms-nanoring-the-transistor-of-the-near-future/
高通研發 NanoRings 技術，有望在 7 奈米製程解決電容問題
目前，製造先進晶片離不開電晶體，核心在於垂直型柵極矽，原理是當裝置開關開啟時，電流就會通過該部位，然後讓電晶體運轉。但業界的共識認為，這種設計不可能永遠用下去，一招打天下，總會遇到不管用的那天。IBM 開始著手探索新設計，並命名為 Nanosheets，可能會在未來幾年投入使用。而高通似乎有不同想法。
聯合晶片製造業大腕 Applied Meterials、Synopsys，高通對 5 種下世代技術模擬與分析了設計候選方案，核心問題是，獨立電晶體和完整的邏輯門（包含獨立電晶體）的效能表現有何不同。
結果發現，最後的「贏家」並非這 5 個候選方案中任何一個，而是一款由高通工程師新設計的方案，叫 NanoRings。
「裝置工程師或製程工程師，只是最佳化了某些非常有限的特徵」，高通公司首席工程師 S.C.Song 解釋。舉例而言，在裝置這維度上，重點在於電晶體的柵極能好好控制電流通過它的通道。然而，當轉變成完整的邏輯門而不是單個電晶體時，其他方面變得更重要。值得一提的是，Song 和團隊發現，裝置的寄生電容──轉換過程中由於非預期的電容器架構而損失──是真正的問題。
這就是為什麼高通團隊選擇他們的奈米設計，而不是 IBM 的 Nanosheets。高通將之稱為 Nanoslabs。從側面看，Nanoslabs 看起來像一堆兩到三個長方形的矽板，每個板被一個高 k 介電和一個金屬柵極包圍，柵極電壓在矽中產生電場，進而使電流流過。
用柵極電極完全包圍每個矽板，可控制電流的流動，但同時也引入寄生電容，因為矽、絕緣子、金屬、絕緣體、矽片之間的架構基本上是一對電容。
Nanorings 透過改變矽的形狀來解決這問題，且不完全填補金屬板之間的空隙。在氫中烘烤裝置會使矩形板拉長為橢圓形。這樣就把它們之間的空間掐住了，所以只有高 k 介電完全包圍它們。金屬門無法完全圍繞，所以電容就少了。然而，門的電場強度仍然足以抑制電流的流動。
▲ 奈米技術減少了寄生電容，因為它無法完全填補矽與金屬之間的空間。
高通公司製程技術團隊的副總裁 Chidi Chidambaram 表示，如果要把製程降至 7 奈米及以下，電容縮放是最具挑戰性的問題。儘管在模擬中取得了明顯勝利，但在未來晶片中，電晶體的問題還遠未解決。Song 和合作者計劃用奈米材料繼續測試電路和裝置，他們還計劃模擬更複雜的電路、系統，直到做出一支完整的手機。
最後測試的結果或許是消費者最關心的──如果智慧手機在奈米技術上執行，那麼它將準確計算出智慧手機正常使用一天後的剩餘電量。
Is Qualcomm’s NanoRing the Transistor of the (Near) Future?
（本文由 雷鋒網 授權轉載；圖片來源：高通／IEEE）
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