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所謂的RIE(Reactive Ion Etching),是一種乾蝕刻,有別於濕蝕刻(利用KOH, TMAH 等蝕刻),是利用plasma將氣體解離成離子與離子團,然後外加電場或磁場造成物理性與化學性的蝕刻!
所謂化學性就是利用氣體與材料產生化學作用造成蝕刻,如SF6用來吃矽,CH4, CHF3,...可以吃Si, Oxide, Nitrude等....,而物理性蝕刻是利用電場或磁場所造成之偏壓來加速對基材的撞擊造成之蝕刻!不同的外加電場或磁場的機制有不同的機型,如RIE, ICP-RIE, ECR,....
那一般用來當做遮罩(Mask)的材料不是光阻或一些介電質或高分子層(如Oxide,nitride...)等!這些介電層都是絕緣體,在遭受離子與離子團的撞擊時其電荷不會被導出,而造成mask charging的現象!mask charging一般來說並不好,但electret material(駐極體)則是利用此一特性來使材料charging!
在蝕刻的時後,因同性相斥,所以mask charging時會影響離子團等加速的路徑!而離子團的路徑與溫度壓力等因素有關,這些細節請看真空物理,有介紹如何算!在類真空下,氣體的流動為不連續的分子流,而不是一般流體之黏性流,我們用mean-free-path來表示,顯示粒子在兩次碰撞間所走的距離!壓力越低路徑越大,要鍍高品質的膜,mean-free-path就必須越大!所以鍍的速率會很低,一般鍍膜都是數百埃(A)至數千埃,都不到一微米,所以鍍膜本是奈米鍍膜,現在的號稱奈米鍍膜覺得很@#!$%
RIE lag是說寬的溝吃的較深,因是RIE物理與化學一起交互作用來蝕刻,所以在兩者所造成的影響,推論其成因就有兩派說法.....基本上都不脫物理與化學的現象!舉個例子,蝕刻至溝槽底部之離子路徑成因就有的吵,但現象是固定的!分子流的流動速率可以用真空物理的model來導,這個在設計半導體機台很重要,決定抽氣速率!然後用conductance(氣導)的大小來表示!氣導有如電子學的impedance,白話一點就是分子流的阻力!那溝寬的話其conductance比溝窄的大, 所以conductance較小!當然較低壓力下,conductance較小!
用物理現象來解釋離子路徑,那就百家爭鳴,從plasma的產生,bias的大小,RF頻率...都有影響,但我們只看現象就好了,成因由大師去吵!前述的mask charging會影響路徑,寬溝的影響較小(廢話)!還有有人算離子碰撞側壁的或然率來觀察,高的都打在側壁上吃不到底部!
Loading effect是越大的蝕刻面積,離子濃度被稀釋,所以蝕刻速率越慢!若稀釋太多會造成無法吃乾淨,產生雜草現象,有人就想控制此一現象來做FED (場發射式) display.
那吃到底部是金屬層時,因金屬會導電,所以無charging的問題,但是介電層時,離子會因同性相斥而改變路徑而側蝕(notch effect)!這個現象在SOI wafer上最明顯(用於微機電製程)!
嗯講到那?
還有SOI wafer, SOI是 Silicon On Insulator的縮寫,也就是在絕緣層(Oxide)上覆蓋,或長,或bound一層device layer.像是一個三明治結構!微電子用途拿來避免電氣效應，以降低電源消耗，減少電流的流失，加快IC的處理速度。SOI技術可應用在需要較低電源消耗的設備上，如行動電話、CPU等. 用在微機電製程則是用來做micro actuator,因actuator要動,必須suspend在substrate 上,所以用deep RIE把不要的地方吃掉,露出oxide後,用HF或BOE把連著的oxide release掉,只留anchor下面的oxide層,製程簡單,然後sputter金屬層導電!因SOI製程會吃到底部的oxide層,受oxide charging的影響,產生notch effect的現象較嚴重!
在TSMC/UMC等的大大都不用考慮這些,機台商早就搞定,否則不是量產機,又要注意東注意西有誰要買?不過機台商對此可是看家本領!
應該講完了吧!
在日本美國第一流的人做機台,第二等的人才做製程,製程再怎麼tune還是被限制在機台性能上!做機台的人較有本事啦!這種高單價技術密集的產業不用擔心產業外移!別人要趕上,很難!在本國做就活的很好!這就是真正賺技術的錢!
行文至此,大家覺得機台商利害還是TSMC/UMC利害?
心的通透 並非沒有雜念 而是明白取捨
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mobocom wrote:
台灣呢? 孤島一個，井底之蛙、夜郎自大，沒有經濟戰略，光靠產業是沒用的
...(恕刪)
Mobocom大大，這句話講得實在太獨斷了，
台灣是海島，不是孤島。所謂孤島是對外沒有溝通管道與橋樑，台灣現在不過是跟中國沒大三通而已，除了這個之外，哪一點可以說台灣是孤島？可別以偏概全。海島國家有海島國家的做法，有人會說英國是孤島嗎？
井底之蛙？是你自己要當井底之蛙？還是台灣全國都是井底之蛙？你沒看見不過達賴喇嘛跟布希見面而已，中國就把幾個美國主要入口網站封鎖，中國人沒有自由去了解世界的訊息，他們被迫當井底之蛙。而台灣人只要你不想當井底之蛙，你就不是井底之蛙，假如井底之蛙是您的狀況，可別把其他台灣人拖下水。
夜郎自大，從歷史的洪流來看，台灣人一直都是被統治而卑微的，才想做自己的主人，就被稱為夜郎自大。不曉得這樣的評語，來自何處？
沒有經濟戰略？什麼樣的戰略才叫戰略？政府有多少的獎勵投資方案，被淹沒在政治的口水裡，媒體報章雜誌政客只會一昧的喊經濟差、人民生活苦，似乎大三通之外沒有其他方法。小弟不知大三通的後果如何，但是除了大三通之外，還是有其他作為。胡扯瞎掰的口水是沒有用的，附上政府提供的所有資源瞧瞧。請點選我
光靠產業沒用？那要靠啥？靠政治？靠口水？台灣的產業在全球的位置如何，其實也不用太過自誇，每個國家有每個國家的做法，台灣要走的是自己的路。什麼是自己的路，就是由人民自己選擇的路。政治的紛擾只是短暫，就是像是出個痲疹，時間跟人民的意志會解決這一切。台灣的未來，沒有那些人說得那麼差。
小弟認為政府有很多地方值得去改善，如教育制度、轉型正義與沒有徹底協助廠商了解政府提供的資源...等問題，做得不好。政府表現不好，批評並希望表現更好，這個想法是好的。但胡亂唱和，一昧謾罵就不對了。
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mobocom wrote:
在歐盟體系不斷擴大，東歐諸國都急於加入
墨西哥也加入美加自由貿易區，美國甚至希望擴及南美洲領域
東南亞國協也在積極整合中，中共已加入此一領域
中日韓就經濟層面已經開始許多實質合作，像是4G通訊標準共同制定
台灣每天死抱著意識形態，處處碰壁，經濟只有吃老本完全沒開創
1.通訊標準共同制定 通常是國際性通訊組織制訂，兩三個國家想制訂，可能淪為中國TD-SCDMA 的下場，還沒推出就要落後了，台灣3.5G已經推出 wimax 也明年就開跑了。
2.在歐盟體系不斷擴大，東歐諸國都急於加入，墨西哥也加入美加自由貿易區，美國甚至希望擴及南美洲領域
ans:當然 落後國家能加入歐盟與美加自由貿易區的優勢，在於出口免關稅。利用低廉土地與工資然後帶動國家發展。優點當然很多，如果台灣能加入歐盟公投請問你是否同意支持？
舉例：保加利亞和羅馬尼亞的國民平均生產毛額，只達到歐盟平均值的三分之一，歐盟公約保障會員國之間勞工自由流通。 當然東歐當然爽，歐洲企業也爽，因為有低價勞工可以用，不爽的人是誰？ 原來領高薪的本國勞工面臨外國勞工的競爭。
so.當你推兩岸共同市場+大三通+貨幣流通+勞工流通= 中國統一 (台灣生活水準成為中國化 香港化)
L社會快速跟你在一起，有興趣可以翻一下資料。
香港為例，一個藝人可以請8個外庸。也有人賺的錢跟外庸一樣。133萬香港人在貧窮線下生活。
這個數字1997之後只有多沒有少過。
3.經濟只有吃老本完全沒開創。
奇怪：你好像沒有看到台灣出口金額年年增加，就業率年年下降。科學園區一處一處開張，公司找人都人才荒。
不過人才有分等級又些人自己不努力上進每天打牌過日，混到大學畢業後。
想找工作卻無專長可用。還嫌公司給的少，自己不增加自己的競爭力。
現在高中職畢業就業率都比大學好。眼高手低自然會失業。
