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記憶體市場競爭激烈，韓商為了保住技術優勢狂砸錢，估計今年投資額將比去年提高將近三成。
BusinessKorea 17日報導，國際半導體設備材料產業協會(SEMI)數據顯示，三星電子和SK海力士(SK Hynix)，今年計畫斥資140億美元，投資半導體設備，總額比去年的110億美元，高出27.3%。其中三星將砸下100億美元，SK海力士則會花費40億美元。
韓廠投資規模在全球居冠，今年除了英特爾(Intel)之外，台積電(2330)、美光、陸廠中芯國際都打算減少設備投資。
三星和SK海力士擬大舉投資，提高3D NAND flash的生產比重。目前三星DRAM和NAND flash的生產比重為6:4，SK海力士則為7:3，都仍以DRAM為主。兩家業者都計畫增產高附加價值的3D NAND，尋求更高獲利，做出市場區隔。
不過韓廠砸錢投資，可能會讓記憶體市場再陷供過於求。BusinessKorea先前報導，瑞銀8日報告稱，2017年SK海力士表現將創歷史新高，但是2018年好景不再，營益將慘跌36%。
瑞銀估計，SK海力士的主力業務--DRAM，將從第二、三季開始供過於求。NAND flash則會2017年下半開始供給過剩，2018年更為嚴重。有鑑於此，瑞銀宣布調降SK海力士評等。
消息傳出後，SK海力士9日大跌3.48%、10日再跌5.12%。15日收盤價跌至47,900韓圜之後，開始止跌回升，17日早盤上漲2%左右。
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韓國要擴產了。慘!!
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