hungtseng wrote:
這一路不知要到哪裡呀...(恕刪)


H大,
個人想法補充:
1.外資累積籌碼持續攀高,
雖然主力潛在家數多了兩三家,
有多頭馬車之嫌,
但炒短的投信和自營確還在觀望,
他們沒上車前,
目前看多是確定的,
因為股市只有少數人能賺錢。

2.這家公司之前都在騙人重返農藥,
但從去年開始確每次發言,
最後都有實現,
因此我選擇相信他今年的預測,
所以它的4/6,甚至3/7法則,
我真的很期待,
因為如果以上半年每月30e算,
下半年每月會幾e?
股價要多少才能滿足?

3.原本旺宏的三大主力還沒回補,
國際情勢也尚未雨過天青,
有些外資確已經開始瘋狂進貨了,
是不是三月期間的法說起了影響,
還是導入車用或任天堂拉貨
或者蘋果imac佈局等內線帶動,
我無法知道,
但目前才剛開始發動,
實在沒有悲觀的理由。

目前旺宏最大的隱憂除了自己,
就是川普了,
誰知道他明天又要說什麼?

因此個人會持續續抱,
畢竟36都熬過來了,
看到漲停反而擔憂?
那實在是太對不起自己了。

以上個人看法補充,
謝謝指教。
若美股沒法大漲的話 (第四節是關鍵,我猜今天最後會收小漲)

明天小拉回整理的機會還是頗高的 (週三 週四 都有結算 多少會小小影響股價)

不過目前趨勢向上

拉回反而是機會

(雖然散戶籌碼縮小,但是融資卻增加,可見較穩定的現股散戶跑了,進來不少的搶短線的新散戶)


最近也被川皇搞到 - - 他實在是今年多頭毒藥

怕他又搞出啥米新花招

把美股完全弄崩..

今天他又在推文亂推

(Trade talks going on with numerous countries that, for many years, have not treated the United States fairly. In the end, all will be happy!)

把美股多頭又弄得弱化了

foxyah2000 wrote:
淡季不淡..硬守在3...(恕刪)


哈 作弊方法多的很

若論近期利多,
SLC 19nm nand 好像蠻利害的喔!

點到為止。
qqc0024 wrote:
哈 作弊方法多的很...(恕刪)


剛研究了一下..為何融券量仍多原因..

他人看法為何二極?

https://money.udn.com/money/story/5710/3054168

http://news.ltn.com.tw/news/business/paper/1187472

其一..任天堂、挖礦機、意法半導體採用..

but NOR營收占比率降到53%..(去年58%..??)..

但客戶需求量大..

這樣營收會增加??還是毛利率增加..??

其二..增資擴產議提仍發酵..

客戶需求量大..但供給吃緊..



看樣子..我個人覺得..近期58元(我發)要亮燈難度很大..




qqc0024 wrote:
哈 作弊方法多的很...(恕刪)


希望19nm slc nand儘快推出。
https://m.gamer.com.tw/forum/Co.php?bsn=60030&snB=1779358

RE:【閒聊】SSD的製程是不是又進化了?

這幾年來NAND的發展是非常快速的
大概一至兩年進展一個世代,容量也大概是一至兩年就翻倍
從2010年的32nm、2011/2012年的25nm、2013年的20nm/19nm、2014年的16nm
其實NAND微縮的速度比邏輯或是DRAM都來的快

製程的微縮,好處就是容量越來越大,每GB價格越來越便宜
缺點就是耐久度(Endurance)的減少
32nm世代的MLC,P/E (Program/Erase)次數大概還有5K (5000) 次
25nm世代的MLC,P/E (Program/Erase)次數大就只有3K~5K 次
但是進展到20nm、19nm、16nm世代,P/E大概都還是維持在3K次左右
這是因為有新的製程與方法的加入,使的新世代NAND不會因為製程微縮而造成P/E cycle的降低

接著是TLC的量產,P/E會再減少到 1K次左右,好處是容量可以再增大
這邊做個名詞解釋
SLC= Single Level Cell,指一個Cell儲存1個bit資料,也就是0跟1
MLC= Multi Level Cell,指一個Cell儲存2個bit資料,分為 00,01,10,11
TLC= Triple Level Cell,指一個Cell儲存3個bit資料,分為 000,001,010,100,011,110,101,111
由於NAND Cell在每次抹除、寫入後的電壓值會有點位移
隨著P/E次數的增加位移的量就會增大
SLC因為只要分辨0跟1,所以可以忍受的電壓位移量就比較大,P/E cycle最多
MLC因為要分辨00,01,10,11共4個層次的電壓,可容許的電壓位移量就少
TLC要分辨8個層次的電壓,當然可容許的電壓位移量是最少的

既然這樣,選SSD當然要選SLC啊,你說對吧!!!
就理論上來說是對的,差異就在於容量
同樣的顆粒數量與製程世代,SLC如果是 64GB,MLC就有128GB,TLC則是192GB
就絕大多數的使用者來說,64GB 跟 192GB 都賣你1000NT,你買哪一台?
我想90%的人會選192GB,TLC那台。如果是我,也會選192GB的TLC
雖然我了解SLC比較好,但是現在的NAND都有所謂的ECC (Error Correction Code)
通常是以每512bit可以校正的位元數來計算
一般SLC 在25nm世代,ECC大概是 8bit (也就是每512bit可以校正8bit)
MLC在25nm世代則是 24bit
TLC好像沒有25nm的,不過以MLC是SLC 3倍ECC 來估,TLC大概要用到60bit ECC 吧
靠著新製程、材料的加入,再輔以ECC的校正,其實新世代的NAND並沒有想像中那麼容易壞
所以買SSD就不用特別去考慮幾奈米跟什麼C了,挑喜歡的容量買就好了。




ambitiously wrote:
希望19nm slc...(恕刪)
從昨天的收盤價51.4已經高於50.45,C波反彈不會過B波高點來判定這一波已經不是C波,頂多説他是B波持續,或大W ,關鍵還是60.9過不過,過了就是邪惡第五波
coco6688 wrote:
發現一件蠻巧合又有趣...(恕刪)
有島狀反轉的可能嗎....2/5號....3/5號兩缺口
wilson667788 wrote:
從昨天的收盤價51...(恕刪)
又要島型反轉怎麼看呢?請說明~~~
hhtony wrote:
有島狀反轉的可能嗎....(恕刪)
hungtseng wrote:
又要島型反轉怎麼看呢...(恕刪)


今天一早就多空戰的好激烈,
又是練心臟的一天,
不知道今天是誰在倒?
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