cche1079 wrote:
現在回憶當年在中國...(恕刪)
小弟從其他樓轉貼我寫的
聊聊曝光機
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這棟樓懂半導體製程的人應不多
先進製程如曝光機
講起來就是可悲的一頁
很多人都不知道
現在大家講Moore's law頭頭是道
但沒有多少人知道
最重要的曝光機的光源
一直使用193nm波長的曝光機到現在
這20年來
後繼的光源一直沒有開發成功
193nm是用Excimer Laser ArF光源
下一代在20年前就已發展
用F2光源, 157nm波長
慘的是光源進入二氧化矽的吸收光譜中(<180nm)
這樣透鏡就不能用玻璃
用CaF2材質
問題又來了
CaF2溶於水
那真的很靠北
不用水來當研磨劑又有很多問題
Intel與ASML搞得焦頭爛額
記得20年前ASML在台灣有開研討會介紹157nm的曝光機...
然後沒有量產...
半導體製程演進本來在20年前就碰到瓶頸的
但是台積電的林本堅提出用水當介質
光源折射後波長變短
想到了浸潤式製程
然後還是ASML做出來immersion lithography stepper
解了燃眉之急
林本堅後來拿到了台灣中研院的院士
唯一的一個業界的院士
他的idea改變了全世界的半導體製程演進
誰說台積電沒有研發技術的...
隨著製程演進
immersion lithography又不夠用了
用到45/40nm製程又不夠用了
製程微縮的解析度R
與K1, 光源波長, 介質折射率, NA值有關
K1為機台參數
NA為Numerical Aperture (與透鏡直徑成正比,物件距離持反比,也就是透鏡大比較好)
這樣的搞又做不下去了
只要用分段曝光
拆pattern讓跨距變大來曝光
就形成了double patterning
方法很多
如SADP
現在製程到了7nm
double patterning又不夠用了
用四重曝光SAQP硬用193nm波長曝光機來做
只有台積電量產...
那麼Intel與三星呢
想用EUV電子束微影曝光機來做
問題是EUV從幾十年前一值開發到現在還沒成功
有人算算
整個地球投入EUV的研發
投資超過200億美金
Foundry的要求是250W,125wph (wafer per hour)
一直沒做出來
2017年ASML號稱做原型
光源是買下光源公司Cymer公司做的
最新的型號是NXB3400B
2017年才出貨
2018年Intel/三星與TSMC才會使用
問題是
瑞凡
今年Apple就要7nm的CPU了
時間回的去嗎?
還是台積電務實些
乖乖的務實用
193nm四重曝光硬做
燃燒吧
工程師的肝是鐵做的
工程師都是
肝鐵人..
所以三星沒搶到今年的Apple單一點都不奇怪
問題是生財器具還搞不定呀
台積電兩方都押寶
193nm+SAQP與EUV都有
所以今年地球上7nm製程的單
要有量能出的了貨的只能找台積電
半導體製程的研發都是集地球上世界各國的所有尖端科技於一身
哪國可以獨立研發
別做夢了...
可悲的工程師
大家划手機
爽爽地在比跑分
背後是一群死宅男
一群群肝鐵人背後默默的付出~
)
