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asiguo 保重～祝早日康復
YouTube影片也出來了。 https://youtu.be/bu8PXnXQOHo
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法說表示光通訊為營收亮點之一，目前市場400G交換器近期我想是這波光通訊磷化銦的營收來源，在光通訊模組QSFP-DD的大幅度運用有關，而想對應的400G的交換器晶片雖然不是什麼新產品，但是隨著PCLe gen 5陸續的在今年被大廠（google、Amazon 、intel、AMD)接納應用，其中支援400G的交換晶片被大幅運用，這部分QSFP-DD隨即使用上升，QSFP內部結構從博通官網即可得知使用了不少光檢器（PIN、APD)再由官網查詢可得相關磊晶應為InGaAs，我想這部分也就是高總說的營收貢獻來源。
上述弱弱分析可能需要A大證實了。
確實QSFP內用了很多光檢器，另外TIA高端的也要用HBT做。而這種資料中心用的交換器，應用環境越來越嚴苛，自然慢慢從Silicon-based轉換到InP based。
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首先，逐季展望部分，Q2因為產品組合延續，且訂單增加，應該會比Q1好。而至於H2，公司則認為從目前訂單情況看來也是和H1訂單情況類似。今年明顯增長的就是InP，也就是光纖網路和高速傳輸的PIN/HBT/APD三大部分，目前已經達到營收63%。
高總也提到，目前的機器狀況，單月要做到營收300萬美金以上是很容易可以達到的事情，因此機器產能已經不構成限制公司營運規模成長的原因，目前已經是要進入到追求訂單規模的擴張的階段。
稅的部分，公司說因為獲利情況良好，沒有甚麼遞延虧損可以使用了，因此暫時都會維持和Q4-Q1這樣的稅率，也就是大概是20%。
各產品線進度部分：
InP部份有提到公司正在和客戶一起發展醫療上的應用、包括皮膚上的，眼球上的，醫療用的比較長期一點。
搭配幾個雷射產品的量產時間，大概在1-2年就可以看到成果。
公司也有提到幾個雷射項目的預訂量產時間：
生物辨識雷射，量產時間2024
InP VCSEL, DN-VCSEL，量產時間2023-2024
高密度VCSEL Array ，量產時間2024
另一塊高毛利的GaSb產品，有趣的是公司提到用六吋GaAs基板生產GaSb，即用較便宜的基板成本出貨較高單價的GaSb產品，對毛利擴張相當顯著，主要還是拿來當FPA陣列在用，客戶主要也是Raytheon。
這次比較讓人開心的是GaN的發展，公司提到二次生長部分，客戶興趣非常的高，營收數字上，單季依照現有的一台機台來做，年底時單月至少可以有10萬美金(一天8小時做五天)，如果機器持續跑一整天甚至一個禮拜的情況，以機器時間來講30萬到50萬的營收是做得到的。
此外，過去公司有提過是少量的GaN高端產品才會用到公司的二次生長技術，當時還有些擔心營收規模不夠大的問題，但這次聽到公司說在GaN-on-Si上面也會用到，而且已經不是少量的特殊產品才會用到，目前是越來越多客戶的GaN磊晶都會採用這個性能提升服務，公司的目標是希望幾個大客務至少有一半的GaN都拿來作二次生長，那量就會很大。
GaN的客戶方面，如過去所猜測，公司在這方面有和幾個領先廠商接觸交流，包括既有的大客戶Raytheon，射頻方面我認為Macom、II-VI、Sumitomo也有，也提到矽製程廠 Global Foundries，此外也提到也有和另一個8吋的矽製程廠合作，這方面比較可能是車用功率應用的客戶，包括Intel、德州儀器、英飛凌、意法半導體或台灣的TSMC、聯電UMC，高總經理認為等到時機成熟就會公布細節。
(補充：根據2021Q2法說會靳副總的說明，當時提到英特磊公司的GaN-on-Si二次生長產品當時是和兩個客戶合作，一個在美國而一個在台灣，都是CMOS製程的客戶，美國客戶是要公司供應8吋，而台灣客戶是要供應6吋磊晶給矽製程廠，由於是CMOS製程所以乾淨度要求非常高，目前公司已經可以長到客戶需要的濃度，只要客戶送來半成品的HEMT磊晶，公司很快可以提供二次生長(regrown)的服務給客戶。)
另外大家很關心的機台，Riber8000在試車中，日後若要買只需要花極少錢就可以買下。而下半年我想公司也會有新機台來源的計畫公布，我相信這部分是公司透過自己全自製的機台要出來了。
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首先，如IET-KY公司高總之前受訪時提過，GaN最終是要到矽製程廠中製作，可以發揮這材料最大的效用，也就是成本的降低以及器件整體性能的提升。所以把GaN生長在矽基板上就是這個道理，而且由於GaN電子飄移速度特別高的關係，大多是做成GaN-nMOS，GaN-pMOS因為天生性能不好(當然，目前還是有很多公司在努力提升GaN-pMOS的表現)，過去也就有不少公司想到pMOS的部分就使用Si製作，透過這樣去兜成一個CMOS，但難就難在Si-pMOS和GaN-nMOS製程要整合在一起非常麻煩，所以目前絕大多數公司都在往這個方向挑戰。
如以下X Fab的投影片所介紹，將GaN與Si pMOS整合在一起的技術選擇包括單晶整合(Monolithic)及異質整合：
不過無論如何，先來看看Raytheon說整合起來有甚麼好處：
從下面這張圖，GaN-on-Si 的異質整合技術的優點在於元件的縮小面積。基地台、雷達、衛星的毫米波陣列在同一面積下可以塞入更多的發射、接收元件，大大提升性能表現。
至於Raytheon 在2019的這篇報告中是透過甚麼方法達到異質整合，其實說起來並不是很炫，Raytheon採用了絕大多數III-V on Si會採用的封裝技術也就是wafer bonding，將做好的Si元件和GaN元件鑽孔連接在一起，然而雖然說是wafer bonding，但這門技術也是存在很多細節性的東西值得努力，包括如何準確連接等，雖然是常用常見的方法，但確實是目前最可行的一種做法，特別是對元件整體體積並不是非常要求的國防工業來說。
至於Raytheon是採用甚麼磊晶製程製作8吋的GaN-on-Si 磊晶呢？
雷神在報告中提到其利用雷神公司內部的量產型MBE機器，生產了高品質的8吋 GaN-on-Si 磊晶，電阻值、均勻度等都是一等一的品質。猜測英特磊公司在這方面未來有機會承接雷神的MBE GaN Wafer的生產訂單，專門使用在需要高品質的GaN Wafer產品上，特別是國防使用，送到Global Foundries做進一步加工，那也是很可能的事情。
當然，Raytheon也提到IQE也可以供應用MOCVD製作的8吋 GaN-on-Si磊晶，在這張投影片雷神公司特別列出了MOCVD的問題，也就是wafer bow (晶圓片彎曲)的問題，也就是MOCVD高溫製程下GaN wafer會有翹取的現象產生。雖然IQE已經盡可能的控制翹取至 <35 um，但MOCVD的此一問題顯然是存在的不然也不會特別寫出來。wafer bow的問題如果是單一元件的die很大的話大概可以忽略，die小的話在製程精度上會造成大問題。
根據X Fab的技術說明，如果是monolithic的技術整合路線，MBE因為製程溫度較MOCVD顯著較低，因此對製程廠而言他的彈性又更大，因為它可以先做完Si pMOS後再做GaN nMOS，但MOCVD因為溫度太高會影響到Si MOS，因此在技術上能做的調整就差了一些。
在MBE和MOCVD的選擇上，Raytheon團隊是採用MBE製程，好處如上所說是因為MBE製程溫度較低可以帶來不少好處。但X Fab在這邊提到MBE相較於MOCVD要提高Epi生長速度才能在很大量量產產品中獲得青睞，這個部分我想公司是打算用自製GaN機台的方式去解決產出的問題，這是MBE Foundry的一個合理解法。如果成功，則公司的MBE生產服務帶給矽晶圓廠的價值是很巨大的。
公司這次法說會還有提到公司正在發展「選擇性磊晶成長技術(selective area epitaxy growth)」，其實也可能是為了GaN-on-Si的異質整合方向在努力，等有找到比較好的投影片材料再跟大家分享。這方面在GaN-on-SiC領域也用了很多，包括Darpa和波音公司旗下HRL Lab合作的mmWave GaN專案中，也大量使用MBE做歐姆接面的regrowth以及D-mode元件的選擇性成長。
HRL Lab在MBE regrowth技術發展的參考：
https://ieeexplore.ieee.org/document/5710407
https://ieeexplore.ieee.org/document/6574209
https://compoundsemiconductor.net/article/112014/HRL_Moves_To_Next_Phase_Of_DARPA_GaN_Project
台積第二代GaN on Si平台，很多東西看來是不謀而合https://ctee.com.tw/news/tech/650850.html
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分享幾個產品方面的發展：
1. 找公司開發DN-VCSEL的廠商很可能是Finisar (被II-VI收購）。Finisar目前也是蘋果InP EEL的主導廠商，下一代的DN-VCSEL很可能也是要由Finisar主導，蘋果之前給的一大筆技術開發基金看起來是有Pay off，從蘋果喜歡找兩家供應商的習慣來看，IQE和Intelliepi應該會分食這個市場。
2. 公司GaN機台持續和IVworks協作開發，已經往多晶片型GaN MBE機台前進，以最大片數來看是7片6吋。
3. GaSb和InP 生物辨識的合作廠商比較難猜，可能是Brolis或Broadcom，我個人以為Brolis的機會高一些。
4. InP VCSEL和DN-VCSEL的廠商看起來可能是不同家，不過既然用途不同，開發的廠商不同也是合理。InP VCSEL之前蘋果申請過手錶健康感測專利，可能是用在這方面。
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https://jobsearcher.com/c/intelligent-epitaxy-technology
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