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集邦科技先前指出，本季DRAM合約價在需求持續疲弱下，看跌一成，但IC通路商表示，近期非蘋陣營手機備貨需求積極，相關零組件如面板、手機晶片及Mobile DRAM出貨都升溫，反映iPhone明年第1季銷售動能趨緩，大砍零組件備貨，讓非蘋陣營趁勢反撲。
近期也不少外資對DRAM產業翻多，主因看好今年下半年DRAM資本支出與晶圓產能有放緩，全球DRAM龍頭三星因價格走跌而調降明年資本支出的空間，加上明年蘋果iPhone 7傳搭載DRAM將再上增到3GB，明年DRAM顆粒出貨成長率趨緩、需求增加，有助減輕供過求於的壓力。
記憶通路商表示，這波記憶體拉貨潮，主要集中在Mobile DRAM，讓盤跌近十個月的價格，出現止跌契機，由於三星、SK海力士及美光近幾季也積極調整產能在Mobile DRAM，隨拉貨動能升溫，相關廠商不再給予價格讓步，讓相關Mobile DRAM價格止跌 。
隨著這波大陸手機拉貨潮啟動，將可扭轉DRAM跌勢，加上相關庫存回補需求加溫，進而推升價格止跌回升，國內相關DRAM族群包括南亞科、華邦電及華亞科等明年營運也可望擺脫頹勢，逐季加溫。
根據集邦近期最新報價，DDR3 2Gb DRAM現貨價上周率先止跌反彈3%至4%，回升到1.14至1.46美元；主流DDR4 4Gb DRAM也守穩2.1美元，均價有機會重回2.4美元。
IC通路商表示，這波Moblie DRAM拉貨積極，主要來自大陸品牌手機大廠包括步步高、OPPO、中興、華為、聯想、海爾等，相關通路商也將同步回補庫存。據了解，包括三星、SK海力士及美光及華亞科等，均同步提配合主要手機廠搭載LPDDR4容量推升到2至3GB，並將產能挪移到Mobile DRAM。
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2015-11-30 19:34 中央社 新竹30日電
動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價持續破底，DDR3 4Gb顆粒現貨均價滑落至1.92美元，再創歷史新低價。
隨著部分賣家降價，期能刺激需求，影響DRAM現貨價持續滑落。
據集邦科技調查，DDR3 4Gb現貨均價滑落至1.92美元，11月跌幅約4.47%，跌幅較10月的5.19%略為縮小；第4季來跌幅約9.43%。
集邦科技表示，DRAM合約價隨著10月下跌近1成後，11月合約價跌幅也較10月縮小，有機會小於3%。
只是市場庫存水位依然偏高，集邦科技預期，12月DRAM合約價跌幅不排除可能較11月擴大；明年第2季前，DRAM價格恐難有機會翻揚，將呈緩跌走勢。
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這消息好亂~
願以紅蓮化生”豐盛、健康、和諧、平等、互助、服務、感恩”的淨土，境中諸時地物皆有諸佛菩薩臨在與啟發。
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pratyeka wrote:
這消息在紫光被海力...(恕刪)
每天一消息,不死也半條命~LOOK 摩根
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摩根士丹利 預期本季DRAM價格比上季跌價16%
2015年12月01日 14:02 梅中和
產業方面，11月PC DRAM價格跌幅收斂至3%，但摩根士丹利仍保守看待DRAM後市，預期本季DRAM價格比上季跌價16%，認為2016第一季仍是一個艱困的季度，預期將再跌10%。
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商場沒永遠敵人！傳Hynix其實超想和紫光合作 擬授權
MoneyDJ新聞 2015-11-30 07:53:17 記者 郭妍希 報導
南韓記憶體大廠SK Hynix雖一口回絕了紫光集團(Tsinghua Unigroup)共組合資企業的提議，但商場沒有永遠敵人，韓媒傳出在競爭日益激烈的環境下，SK Hynix有意與紫光簽立專利授權協議、希望能降低一些市場風險。
韓國時報29日報導，駐紮首爾的數名歐美投資銀行基金經理人直指，SK Hynix其實很想(more than interested)和紫光合作、分享記憶體晶片專利科技，未來或許會和紫光就公司市佔較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專利授權合約，因為紫光的生產成本更為低廉。根據經理人的說法，中國雖是一大威脅、但同時也擁有龐大市場，簽訂授權協議可讓SK Hynix、紫光互蒙其利，進而幫助SK降低風險、增加市佔率。
SK Hynix稍早就曾說過，之所以和東芝(Toshiba)、三星電子(Samsung Electronics)建立專利授權關係，就是為了降低不確定性，因為全球的記憶體產業早已被幾家企業寡占。市調機構的數據顯示，SK Hynix今(2015)年第3季的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)全球市佔率為10.9%，排行為第五名，而與紫光已有間接關係的SanDisk則排名第三。SanDisk已被Western Digital併購，紫光則擁有Western Digital 14%股權。
SK Hynix上週股價在紫光傳出有意入股、雙方將進而共組合資事業的消息帶動下跳漲了3.23%。根據當時的消息，紫光提議為SK Hynix代工用於智慧型手機、商用伺服器等所有數位裝置的NAND Flash。SK Hynix隨後回應表示，高層確實曾與紫光會面，但沒有接受這項提案的意願。
業界人士指出，礙於南韓禁止核心科技流入中國的法令，SK Hynix想與紫光創立合資事業困難重重，因此最有可能的選擇就是與陸企建立合作關係，就如同英特爾(Intel Corp.)在中國的作法。
紫光旗下的同方國芯(Tongfang Guoxin)，11月初宣稱要斥資100億美元，兩年內打造NAND Flash廠。此一消息讓美光和SK Hynix股價嚇出一身冷汗，各自走跌5.4%、4.4%。如今紫光傳出有意入股，SK Hynix為了避免被邊緣化、也許真會把握機會和紫光談合作。
J.P.摩根認為，記憶體才是中國主要發展方向，barron`s.com 11月25日報導，J.P.摩根分析師Gokul Hariharan報告表示，中國對半導體的進口額目前已僅次於石油，因此對半導體產業也具有強烈企圖心，不過目前其重點主要是擺在記憶體、而非晶圓代工。報告指出，中國未來12-18個月會有接近兩座記憶體廠房上線，NAND Flash會是發展核心、DRAM也許會從較為落後的技術開始研發。雖然近來有消息指稱中國也許會買下Global Foundries、紫光集團也對台積電(2330)虎視眈眈，但由於晶圓代工服務取得較容易、因此尚非中國的發展重點。
陸資近來在台灣、美國與南韓科技業大張旗鼓尋找併購標的，傳媒直指中國打算在本土打造自家的半導體與記憶體製造中心。不過，這其實並未解讀到中國真正的動機。分析師指稱，中國真正的目的是為了激勵(或更可能是威脅)三星電子、SK Hynix等業者直接在當地擴充記憶體產能，而北京則會在同一時間與重要的資訊科技(IT)業者(即Western Digital)建立合作關係，開始打造、擴建資料中心的基礎建設。
Susquehanna Financial Group分析師Mehdi Hosseini、David Ryzhik與Bill Grinstead 10日在barron`s.com發文指出，對中國來說，與南韓等地在半導體製程上競爭，並非最大關鍵，隨著摩爾定律(Moore`s Law)趨緩、縮減製程的成本日益昂貴，而DRAM科技也可能在幾年後出現重大變化，但中國手上卻完全沒有專利權(IP)。因此，中國在建設資料中心、協助經濟朝下一個10年邁進時，得同時靠外國企業在本地生產零組件才行。也就是說，中國的資料中心基礎建設需靠Western Digital、三星等企業才能完成。
願以紅蓮化生”豐盛、健康、和諧、平等、互助、服務、感恩”的淨土，境中諸時地物皆有諸佛菩薩臨在與啟發。
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《外資》大摩：DRAM價下季估跌10%，不利華亞科
2015/12/01 09:57 時報資訊
【時報記者沈培華台北報導】11月PC DRAM價格跌幅收斂至3%，但摩根士丹利仍保守看待DRAM後市，預期本季DRAM價格比上季跌價16%，認為2016第一季仍是一個艱困的季度，預期將再跌10%。
4GB DDR3 DRAM模組價於11月跌至16.25美元，跌幅3%，比摩根士丹利預估的16美元略高，但摩根士丹利認為PC DRAM價格仍未穩定。鑑於市場供需並未改善，摩根士丹利預期12月PC DRAM價格下跌3%，整體第四季價格季減16%；今年第三季則是重跌22%。此外，DDR4與DDR3的價差縮減至5%，對華亞科 (3474) 略不利，因華亞科現正擴大生產DDR4產品。
摩根士丹利對明年第一季DRAM市場看法仍保守，主要是第一季進入淡季且供應鏈庫存仍高，預期第一季PC DRAM價格續跌10%。摩根士丹利亦看淡行動式記憶體後市，主要因智慧型手機需求疲弱。即使華亞科2016年第一季將產能轉移至行動式DRAM，對於提高利潤的效益有限。摩根士丹利維持對華亞科「減碼」的評等。
