KCLin0423 wrote:
我前面說過了
7nm 只有 70 顆原子
氧化與錯位等的defect對 device 影響甚大
就算你用 ebeam 好了 (ebeam 的問題在很慢)
讓你精確刻出線寬 7nm 的 device 好了
70 顆原子的寬度,device 的穩定性?
就算 7nm 度過了,接下來?
(p.s. 我從來沒評論過,台積目前的 Si 製成不好
但是,台灣廠商對於尚未工業化可商轉的研究幾乎是零
這才是重點) ...(恕刪)
+1
前面有人說我的專長是蝕刻
其實當年的研究是深蝕刻
不能算是CMOS製程
我想在CMOS的roadmap上
10nm是Intel/三星/TSMC都有列進去的
7nm還不列上
我想EUV的問題的不確定性是有的
在CMOS的技術上
TSMC的競爭力不用懷疑
但製程能力是建立在設備的條件上做參數最佳化
但設備的能力在那
受限就在那
TSMC沒有開發設備的能力
這一點三星就做的很好
三星集團常在改設備成自己想要的
你買標準品
但三星怎麼改沒人知
TSMC面的對是高度上下整合的怪物
單在CMOS製程可以打敗三星
我想應可以
但離開了CMOS後
以後IC技術不用CMOS
或CMOS已成熟後
我想有一天大家都會做10nm時
TSMC的競爭力就會有問題
台灣廠商不會投資花大錢培養未來的人才與技術
而是專注於現有應用技術的改良
而三星會
自己親身的經驗
我在美國發現
三星挖技術
除了用買的外
學術界的研究
直接派人去學
最簡單的方法
不用臥底
直接派人唸博士
我認識一個三星栽培的人
公司全額補助去加州理工學院EE唸博士
成為該lab唯一不用老板經費的學生
博班學生大家都窮
只有他開好車住好公寓
三星全買單
更棒的是
學成後不用回原單位
只要全球的三星那個地方要你
你只要去三星就行了
當然是想不要回南韓留在美國
升官加薪就不用說了....
台灣人
我們有像三星這樣看的這麼遠嗎???




























































































