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Wang桑 wrote:
感謝N大科普教學，...(恕刪)
Intel的10nm又難產了,2018年才量產...
死在多重曝光...
https://www.eettaiwan.com/news/article/20180427NT03-Intel-Delays-10nm-Volume-Production-Until-2019?utm_source=EETT%20Article%20Alert&utm_medium=Email&utm_campaign=2018-04-30
Wiki上的圖
intel的10nm比TSMC的7nm還緊緻,不過TSMC在今年就量產7nm了,真的是地球之光~
Intel應是死在Self-Aligned-Quad-Patterning的良率不行...
As of 2016, Intel was using SADP for its 10 nm node;[73] however, as of 2017, the 36 nm minimum metal pitch is now being achieved by SAQP.[74] Intel is using triple patterning for some critical layers at its 14 nm node,[75] which is the LELELE approach.[76] Triple patterning is already demonstrated in 10 nm tapeout,[77] and is already an integral part of Samsung's 10 nm process.[78] TSMC is deploying 7 nm in 2017 with multiple patterning;[79] specifically, pitch-splitting,[80] down to 40 nm pitch.[81] Beyond the 5 nm node, multiple patterning, even with EUV assistance, would be economically challenging, since the departure from EUV single exposure would drive up the cost even higher. However, at least down to 12 nm half-pitch, LELE followed by SADP (SID) appears to be a promising approach, using only two masks, and also using the most mature double patterning techniques, LELE and SADP.[82]
健人就是腳勤
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NQQegg wrote:
從EE Times上...(恕刪)
台積電的競爭力來自於企業文化中團隊的高壓環境下的努力
http://technews.tw/2016/05/22/tsmc-rd-engineer-confessions/
‘台積電人對一件事深入了解的程度，絕對比競爭者都強。例如你給老闆一杯水，他問你顏色為什麼黃黃的，你回答也許沾到茶葉，有人問到這裡就結束了；但台積電的主管一定會一直問，哪裡來的茶葉？為什麼會沾到？在什麼流程沾到的？我們怎麼改善等，我們很習慣用這樣的模式研究一個問題。
這就是文化，你的老闆會這樣 review（複審）你，你就會這樣 review 底下的人，當然對供應商也是，供應商恨死我們了。我很多同學在台積電的供應商企業裡，都覺得台積電的要求很嚴格，有一點在壓搾供應商。
但只要台積電這樣的文化一直在，就有機會一直領先。’
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半導體製程幾百道，如果沒有龜毛再龜毛，良率根本出不來～
Process integration
如果前一道製程沒有很clear
到後面出現問題
會追不出在哪一道的recipe還是condition出槌...
很多人會吹微影曝光製程
好啦
甚麼是
曝光不足
曝光過度
顯影不足
顯影過度
光阻液過期會造成甚麼影響
顯影液過期會造成甚麼影響
如果這些基本功都沒有
那些只會發論文的碩博士
沒碰過疑難雜症
不知該怎麼解決的人
沒甚麼好厲害的...
健人就是腳勤
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NQQegg wrote:
Intel的10nm...(恕刪)
EE Times:EUV技術在5nm存在隨機缺陷目前無解
http://www.eet-china.com/news/article/201804091800
•2018年4月9日
•Rick Merritt
極紫外光微影(EUV)技術據稱將在5納米(nm)節點時出現隨機缺陷。根據研究人員指出，目前他們正採取一系列的技術來消除這些缺陷，不過，截至目前為止，還沒有找到有效的解決方案。
極紫外光微影(EUV)技術據稱將在5納米(nm)節點時出現隨機缺陷。根據研究人員指出，目前他們正採取一系列的技術來消除這些缺陷，不過，截至目前為止，還沒有找到有效的解決方案。
這項消息傳出之際，正值格芯(Globalfoundries)、三星(Samsung)和台積電(TSMC)競相為明年的7nm生產升級其EUV系統至具有高可用性的250W光源。如今，這些隨機缺陷的出現顯示，針對半導體製造日益增加的成本和複雜性，並不存在任何解決問題的靈丹妙藥。
比利時Imec研究機構的圖形專家Greg McIntyre在日前於美國加州舉辦的國際光學工程學會先進微影技術會議(SPIE Advanced Lithography)上表示，最新的EUV掃描器可以印製出代工廠為7nm所計畫的20nm及更大尺寸之關鍵規格。然而，他們在製作精細線條和電洞的能力還不明確。
像McIntyre這樣的樂觀主義者認為，針對這種所謂的“隨機效應”很快地就會出現一連串的解決方案。但一些懷疑論者則認為這樣的結果只是多了一個讓人更加質疑EUV系統的理由——價格昂貴且延遲已久的EUV系統是否真的能成為晶片製造商的主流工具？
前英特爾(Intel)微影技術專家Yan Borodovsky預期，業界工程師應該能夠使用EUV步進機進行2-3次曝光，打造出5nm或甚至是3nm組件。但他在此次活動的主題演講時也指出，隨著晶片缺陷的不斷上升，最終將迫使工程師們採用新的容錯處理器架構，例如神經網路。
最近的缺陷突然出現在15nm左右的關鍵尺寸上，而這是針對2020年代工工藝製造5nm晶片所需的技術節點。EUV製造商ASML在去年的活動中提及，該公司正在準備可印製更精細幾何尺寸的下一代EUV系統，但這些系統要到2024年之後才會推出。
Imec研究人員指出，EUV微影將在5nm時出現隨機缺陷（來源：Imec）
隨機缺陷有多種形式。有些是造成不完美的電洞；有些則是線狀裂縫、或者是在兩線和兩電洞之間形成短路。由於這些缺陷尺寸過於微小，研究人員有時得花幾天時間才能找到。
McIntyre描述發現和消除錯誤時會遇到的挑戰。例如，一些研究人員提出了衡量線條粗糙度的標準方法，這正是瞭解缺陷的關鍵之一。
另一個問題是，目前還不清楚光阻劑材料碰到EUV光源時會發生什麼變化。McIntyre指出，“現在還不知道有多少電子產生，以及會創造出什麼化學物質……我們對於物理學還不是完全地瞭解，所以正在進行更多的實驗。”他指出研究人員已經測試多達350種光阻劑和工藝步驟的組合了。
良率在7nm/5nm備受關注
“製造業將會因為良率降低而受到重大的打擊……如果我得為此負責，那麼我要說是時候退休了，”一位退休的微影技術專家在有關5nm缺陷的討論會上說道。
來自Globalfoundries的技術專家則在另一場專題演講中發表更加樂觀但相對理智的看法。Globalfoundries研究副總裁George Gomba在回顧致力於EUV近30年的歷程時說道：“這是一項艱巨的任務，而且接下來還有更多工作要做。”
當今的NXE 3400系統“不符合我們期望的一些發展藍圖要求，所以（在7nm時）仍然存在一些不確定性。如果不提高生產力和可用性，我們可能難以發揮EUV的最大價值。”
Gomba指出，5nm時的隨機缺陷包括細微的3D斷裂和撕裂，例如線條上的缺口等。他還呼籲在所謂光化系統上進行更多的工作，以便微影技術人員在採用光罩護膜覆蓋之前檢測EUV光罩。
“為了充份利用EUV，我們將需要光化檢測系統，儘管仍在開發中，但它可以輔助目前已經可用的電子束(e-beam)光罩檢測系統。”
Globalfoundries分享了對於何時以及如何導入EUV的看法。(深綠色框表示高數值孔徑的EUV更受歡迎（來源：Globalfoundries）
Borodovsky在採訪中表示，另一個可能導致5nm缺陷的因素是現有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫入，因為EUV使用的複雜相移光罩最終將膨脹至目前浸潤式光罩價格的8倍。
由Lam Research創辦人David Lam成立的公司Multibeam最近為其電子束技術獲得了3,500萬美元的政府資金。他希望在2年半內打造一套能應用於立基市場的商用系統，但適於大量生產的版本還需要更長的時間。
Borodovsky表示，到了2024年，缺陷可能變得非常普遍，以至於傳統的處理器將無法以先進工藝製造。使用記憶體陣列與內建嵌入式運算元件的實驗晶片可能具有更高的容錯能力，例如IBM的True North晶片，以及惠普實驗室(HP Labs)以憶阻器打造的成果。
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我們在解讀這篇文章的問題
EUV微影將在5nm時出現隨機缺陷
為什麼會有隨機缺陷???
我的看法是隨機的二次電子造成
我找一個圖來解釋:
EUV Wiki:
https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography
EUV的能量太強導致產生二次電子
電子也有能量
當然會造成隨機的光阻曝光
當然造成隨機缺陷
電子或帶電離子/原子團殘留在光阻上很麻煩
因為光阻為非導體
電子產生或外部打進去都無法像導體一樣的排除
就卡在那...
其實在蝕刻製程就會發生了
光阻帶有電荷後
會產生局部電場
會影響後續的帶電離子/原子團的軌跡...
有些就會打到側壁...
健人就是腳勤
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NQQegg wrote:
EE Times:EUV...(恕刪)
台積電７奈米 六月放量出貨
http://www.chinatimes.com/newspapers/20180521000271-260202
2018年05月21日 04:09 工商時報 涂志豪／台北報導
晶圓代工龍頭台積電全力衝刺7奈米，受惠於蘋果新一代A12應用處理器開始投片，7奈米晶圓將自6月起開始放量出貨，第三季將見強勁成長動能，季度營收創歷史新高機率大增。另台積電為比特大陸（Bitmain）代工的16奈米加密貨幣挖礦運算特殊應用晶片（ASIC）已在南京廠量產，7奈米ASIC可望在下半年完成設計定案並進入量產。
台積電第一季受到蘋果調整iPhone生產鏈庫存影響，第二季相關晶圓出貨進入淡季，導致合併營收僅介於78～79億美元之間，並較上季衰退。不過，台積電7奈米已開始進入量產階段，在預期良率改善及產能拉升情況均優於10奈米的情況下，隨著7奈米晶圓自6月起放量出貨，法人看好台積電下半年營運將旺季更旺。
外資法人指出，台積電7奈米第二季進入量產，將自6月開始快速拉高出貨量，除了為蘋果代工的A12應用處理器將成為首批產品，包括賽靈思（Xilinx）、海思、高通、超微、輝達（NVIDIA）等主要客戶，也將在下半年開始採用7奈米量產投片。
台積電7奈米的良率改善及產能拉升速度均較上代10奈米更快，主要是因為7奈米設備有逾9成與10奈米相容，台積電在走過10奈米製程的學習曲線後，法人看好7奈米的毛利率改善速度會明顯優於10奈米。台積電預期7奈米將占第四季晶圓銷售的20％以上，占全年晶圓銷售營收10％的目標將可輕鬆達陣。
台積電7奈米製程主要分成兩大區塊，一是為蘋果、高通、海思等客戶生產手機相關晶片；二是為賽靈思、超微等客戶代工與高效能運算（HPC）相關的伺服器相關晶片或繪圖晶片。相較於2017年10奈米營收中有逾95％來自手機相關晶片，今年7奈米製程不再過度集中在手機市場，法人預期台積電將可有效降低手機市場景氣循環帶來的風險，同時在人工智慧及HPC等晶片代工市場也能確立市場領先地位。
另外，雖然比特幣價格仍然波動劇烈，但比特大陸已在台積電南京廠量產16奈米挖礦ASIC，加密貨幣相關晶片需求已見回溫，而且以比特大陸的產品藍圖規畫，今年下半年7奈米ASIC就可完成設計定案並進入量產，加上下半年以太幣專用28奈米ASIC也將放量投片，法人預期比特大陸今年仍會是台積電前10大客戶之一。
(工商時報)
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NQQegg wrote:
台積電７奈米 六月...(恕刪)
三星 EUV 技術蓄勢待發，7 奈米拚下半年投產
http://technews.tw/2018/05/23/samsung-euv-7nm/
三星周三發布新聞稿宣布，全球第一個採用極紫外光（EUV）微影設備的 7 奈米 LPP（Low Power Plus）製程，已準備好於 2018 下半年投產。
三星的目標很明確，就是成為未來先進運算與物聯網晶片生產技術的領導者，並進而分食台積電的晶圓代工訂單。
儘管外界看好台積電在 7 奈米製程競賽仍居領先地位，但三星將是第一個在 7 奈米製程導入 EUV 微影技術並成功量產的晶圓代工廠，為下一世代製程反超前台積電奠定基礎。三星在新聞稿同時預告 5 奈米、4 奈米與 3 奈米製程的開發計畫。
調研機構 IC Insights 周二發布報告指出，三星首季半導體資本支出 67.2 億美元，稍高於前 3 季水平，顯示三星發展半導體仍緊踩油門不放。三星半導體部門過去 4 季累計資本支出高達 266 億美元。
整體來看，IC Insights 預估全球半導體業 2018 年資本支出將成長 14%，較 3 月的預估值多出 6 個百點，且將首度超過 1 千億美元大關。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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挑戰英特爾添火力，台積電五大戰將出列
http://finance.technews.tw/2016/12/10/tsmc-five-general-manager/
2016年11 月，台積電晉升 5 位副總，包括米玉傑、余振華、卡利尼斯基以及從英特爾挖來的張曉強；還有負責開發市場的金平中。他們的強項在哪？會威脅英特爾嗎？
技術暨設計平台副總張曉強
最懂英特爾的開發高手
台積電也從英特爾挖角副總經理張曉強，擔任台積電技術暨設計平台副總經理。張曉強在英特爾工作 19 年，他從 90 奈米製程到 45 奈米製程，曾多次領導先進製程技術平台開發，他因為在行動處理器上的技術突破，是第一個得到英特爾院士榮銜的華人。
在加入台積電之前，他的研究領域集中在嵌入式記憶體技術研發上。這項技術是未來高性能運算的關鍵，英特爾已經將記憶體列為技術未來發展的重點。
產業人士分析，張曉強在積體電路領域擁有的 55 項美國專利，台積電除借重他在嵌入式記憶體專長之外，也可能將參與車用半導體及高性能運算處理器（HPC）製程技術發展。
技術發展資深副總米玉傑
7 奈米世代關鍵操盤人
米玉傑在台積電和英特爾的製程競賽中，扮演關鍵角色。他是研究下世代的半導體製程裡 ，台積電要如何製造每一個基礎電路，他的研究成果，會決定台積電生產的表現，再把研究結果交給資深副總羅唯仁的團隊，研發出如何量產的技術。
「米玉傑是非常認真、話很少的人。」一位半導體廠商觀察，當初台積電考慮採用極紫外光（EUV）量產時，米玉傑就曾表示反對，擔心極紫外光設備的生產速度，會影響台積電先進製程上的研發速度，決定另闢蹊徑。如今，台積電在 7 奈米的基本研發已大致完成，和英特爾的距離將再次縮短，米玉傑因此更上層樓。
特殊技術副總 Alexander Kalnitsky
把冷灶燒熱的引擎發動機
這次台積電經營團隊裡，Alexander Kalnitsky（亞歷山大‧卡利尼斯基）負責內部「超越摩爾計畫」，「More than more 計畫，都是向他報告」一位半導體業者觀察，讓折舊攤提完的成熟製程，照樣有高產能利用率，是拉高獲利的關鍵。
卡利尼斯基是白俄羅斯人，2009 年加入台積電，這一年，前台積電專案處長梁孟松離開台積電，外界認為原因之一，是他不願加入當時剛剛開始的超越摩爾計畫，認為在成熟製程難有發展，因而離職。
外界觀察，台積電對超越摩爾計畫其實有相當大的期待，卡利尼斯基不但在 2013 年得到台積科技院院士榮銜，今年還升為副總，業界人士觀察「他現在領導的處級單位，比先進製程部門還多」。當先進製程愈來愈昂貴，為傳統製程加值就成為和對手拉開距離，分散獲利來源的關鍵。
先進模組技術發展副總余振華
搶下蘋果訂單的大功臣
余振華和米玉傑同樣在 1994 年加入台積電，他是台積電聞名世界銅製程技術的重要推手。在他主導下，台積電成功完成 IC 後段製程的低介電質銅導線製程技術，並率先於 0.13 微米世代全面導入和量產。
技術成功只是被看見的原因之一，余振華後來卻願意接下外界並不看好的封測事業，「原本大家都認為，台積電做封測是要賠錢的」，一位半導體廠商觀察。
余振華做的是先進封裝，原理是把生產出的矽晶片上，再疊上一層晶片，交疊的晶片之間，電路還要能正確串聯。
如果把傳統的晶圓比喻成蓋平房，余振華做的先進封裝就像是蓋大樓，讓晶圓能「站」起來。
這對台積電有什麼意義？余振華曾分析，半導體產業能持續創造價值，是依賴摩爾定律，意即每隔 24 個月，晶片上的電晶體就會增加一倍，花同樣的錢可買到多一倍的電晶體，等於價格打折，性能同時增加。
但是，半導體產業面對物理極限挑戰，「摩爾定律愈來愈難執行」余振華說，為了在同一顆晶片裡裝進更多電晶體，就有了先進封測計畫。
這項技術卻變成台積電拿下蘋果訂單的決勝武器。半導體業者分析，台積電可以把更多分散的晶片，整合到同一顆大晶片裡，用半導體技術降低成本，「在電子業，我們說，多一個接點，就多一個缺點」他分析，所有元件整合在一顆晶片裡，速度變快，成本反而更省。
對手三星沒有這樣的技術，先進封裝因此成為台積通吃蘋果訂單的關鍵之一，余振華成功把冷灶燒熱。
今年第三季法說會上，台積電共同營運長魏哲家也表示，INFO 封測技術的營收貢獻將超過 1 億美元，超過預期。後摩爾時代要搶蘋果訂單，先進封裝也扮演重要角色。
業務發展副總金平中
市場藍圖的幕後企畫
了解台積電未來業務發展，台積電業務發展副總經理金平中的角色也十分吃重。
金平中加入台積電之前，曾擔任英特爾技術研發處長，她原本都在研發單位發展，曾被宏力半導體挖角擔任研發副總，後來又回鍋英特爾。
在台積電，她卻變成張忠謀倚重的市場觀察者，「BJ（金平中英文名）主要負責新市場開發和評估」。
一位半導體業者觀察，她最主要的工作是預測未來 5 年的市場需求是什麼？是哪些產品？這些產品的規格是什麼？規格轉換成製程是長什麼樣子？所以台積電要開發哪種技術？換句話說，她必須了解市場，再把未來商機轉換成技術藍圖。
她旗下有 6、7 個處，都是業界的資深好手，如物聯網處資深處長王耀東，就曾擔任旺宏副總經理。她必須反覆推敲市場變化，例如超越摩爾定律處，就會負責分析手機下一步會走到哪裡？往下走影像 IC 發展必須做到多大容量？這容量就變成台積電未來要發展的技術。
當發現未來的新市場，初期會和業務合作，去跟客戶談規格。然後回報給公司內部做評估可以從這新市場獲得多少利益，再讓隸屬於金平中業務開發部門去評估要不要做這件事？以及做這件事到底是有利於填滿產能，還是提升毛利率，如果做，投資報酬率又是多少？當台積電要開始提出對半導體市場未來發展的論述，金平中團隊就扮演了吃重的角色。
近兩年來，台積電董事長張忠謀不斷提拔新進人才進入經營團隊，在內部不斷訓練處長級以上高階主管，好手倍增，台積電正積極為下一場大戰做準備。
（本文由 財訊 授權轉載；首圖來源：科技新報）
健人就是腳勤
