今日，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光將在2018年底量產32層64Gb的3D NAND，2019年量產64層128Gb的3D NAND，並同步研發128層256Gb的3D NAND。
就目前中國在NAND Flash芯片技術上的發展而言，雖然相較於三星、東芝/西部數據、美光、SK海力士等國際大廠在2019年量產96層3D NAND，紫光量產64層3D NAND落後一個技術等級，但彌補了中國在NAND Flash芯片自主研發領域的空白。
另外，長江存儲（YMTC）發布了突破性技術—Xtacking，使得產品開發時間縮短三個月，生產週期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統3D NAND擁有更高的存儲密度。
同時，紫光存儲向全球發布了企業級NVMe 產品P8160、P8130、企業級SATA SSD產品S6110、消費類NVMe SSD產品P5120、渠道SATA SSD產品S100、渠道NVMe SSD產品P100、嵌入式產品eMMC、UFS全系產品，滿足大數據和本土市場存儲需求。
