從資料與消息來看
華邦電在DRAM上擁有跳過美日專利的自主技術
財報好像也是一年好過一年
有前輩可以從更深入的角度上分析一下前景嗎??
如果要接的話以長期投資來說多少去接比較好?
個人積分：10178分
文章編號：71095591
個人積分：4610分
文章編號：71095598
個人積分：26分
文章編號：71095779
個人積分：1047分
文章編號：71096125
個人積分：26分
文章編號：71096467
s510720 wrote:
華邦電:1. DDR4...(恕刪)
轉自EET
https://www.eettaiwan.com/news/article/20181114NT41-Winbond-dram-solutions-for-automotive-IoT
華邦DRAM方案搶搭車電物聯網儲存商機
全系列DRAM切入車用ADAS
因應車載資訊娛樂系統日益普及，ADAS與自動駕駛技術必須即時處理的感測資料量越來越龐大，使其所需的記憶體容量、I/O頻寬等要求隨之升級。華邦自中、低容量產品切入，針對各類汽車應用提供涵蓋256Mbit到8Gbit的LPDDR2、LPDDR3和LPDDR4全系列DRAM解決方案，能因應從車載資訊娛樂、ADAS到未來自動駕駛車即將帶來的大量資料需求。
低功耗方案搶搭AIoT熱潮
華邦在electronica 2018展示的行動DRAM系列——256Mb LPDDR2 SDRAM支援部份區域陣列自我刷新(PASR)、自動溫度補償自我刷新(ATCSR)以及華邦創新的深度自我刷新(DSR)模式，能夠進一步延伸省電機制，達到最好的節能效率，大幅降低約50%功耗。
這些具有DSR技術的產品可讓手機製造商或是其他以電池供電產品的製造商藉由消耗較少電量的記憶體達到最好的節能效率，特別適用於需要待機跑比較慢運算的環境時，如行動裝置、智慧手錶以及穿戴式裝置等。
華邦的行動DRAM記憶體元件同時支援x16和x32數據頻寬。而除了256Mb LPDDR2，華邦並針對各類穿戴式應用延伸開發不同密度級的版本，包括512Mb、1Gb和2Gb等。
此外，虛擬靜態隨機存取記憶體(PSRAM) x8 BW則由DRAM主體核心與傳統SRAM介面組成。晶片上的刷新電路省略了使用者需要記憶體刷新的考量。相較於傳統的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量、高速度、更小晶片尺寸以及相容於DRAM的優勢。
賴韋仲介紹，此次展出的這款PSRAM x8 BW可在觸發啟用後自動回到休眠模式，而無需隨時處於耗電狀態，因而可將待機功耗大幅降低60%，主要的訴求在於MCU——特別是未來的MCU，適於共享單車以及偏遠地區的電錶等應用。
專為Edge AI量身打造的記憶體
隨著AI功能持續從雲端走向邊緣，龐大資料量儲存、處理與分析逐漸下落至終端裝置，從而對於記憶體的效能與可靠性帶來更嚴格的要求。然而，目前在Edge AI領域並不容易找到適用的DRAM。這是因為市場上現有的記憶體都不是針對AI或邊緣運算等新興應用及其密度需求而打造的，使得新創公司或晶片商很難找到符合Edge AI需求的記憶體。
賴韋仲解釋，AI必須透過演算法進行運算與判斷準確性，為了在記憶體中執行這些MAC運算與準確性判斷，需要更大的I/O頻寬，x32 I/O或更高頻寬的記憶體不可或缺。然而，「目前x32 I/O的LPDDR2/3/4都是為了智慧型手機而打造的，其記憶體密度要求越來越高，並不適用於Edge AI所需的256Mb-2Gb。例如，x32 I/O LPDDR3的記憶體密度可能達到8Gb，甚至LPDDR4元件都高達12Gb以上了，很難在x32 I/O記憶體看到256Mb-2Gb的元件，這對於產品規模要求不大的新創公司帶來了挑戰。」
因此，華邦針對過渡至Edge AI運算應用提供支援256Mb-2Gb以及其他密度選擇的x32 I/O LPDDR2/3/4解決方案，而當客戶在2-3 年後需要更高密度、更大頻寬產品時，華邦的LPDDR4方案也已經就緒。
針對AIoT等晶片組的開發，華邦計劃將與恩智浦半導體(NXP)、意法半導體(ST)與微芯科技(Microchip)等MCU業者合作，為其下一階段的新產品提供參考設計、開發板，這些產品也都將在electronica 2018聯手亮相。
此外，製程技術的靈活性也是華邦最大的優勢。賴韋仲強調，華邦電子較其他記憶體供應商的優勢在於擁有自家晶圓廠及自有製程技術，能針對汽車與工業市場提供完整的產品解決方案，甚至許多傳統產品仍在持續生產中。例如，他說華邦從2008年開始做46nm，這一技術至今仍在量產中，甚至計劃沿用至2025年，這是市場上其他大型業者做不到的。
華邦電子持續在記憶體產品組合以及超低功耗技術方面精進，不僅陸續開發出46奈米與38奈米製程DRAM產品，25奈米DRAM也預計將在今年底前量產。
